[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110211064.2 | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102903667A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有介质层；
对介质层进行氧气等离子体处理；
用含碳气体对介质层进行处理；
在介质层上形成掩膜层；
刻蚀掩膜层和介质层至露出基底，形成通孔。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述含碳气体包含C2H4或C2H2。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含碳气体处理介质层所需的压力为2～10托，功率为300～1500W，气体流量为100～2000sccm，处理时间为2s～10s。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于：所述介质层为低k材料，介电常数为2.2～2.9。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于：所述低k材料为SiOCH。
6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述含碳气体还包含N2和NH2。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述掩膜层材料为氧化硅。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于：形成所述氧化硅的反应物为TEOS。
9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：形成介质层的方法为化学气相沉积法。
10.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于：刻蚀介质层采用的是干法刻蚀工艺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110211064.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种选矿废水的处理方法
- 下一篇：一种含油水的除油装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
