[发明专利]一种芯片的焊接方法无效

专利信息
申请号: 201110208897.3 申请日: 2011-07-25
公开(公告)号: CN102280393A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 陆红梅;杨阳 申请(专利权)人: 上海祯显电子科技有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201323 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 焊接 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片的焊接方法,其特征在于,包括如下步骤:先将焊接剂设置在基板的焊盘表面,然后采用机械手将芯片的焊盘对准基板的焊盘安装,再将安装好芯片的基板通过回流焊炉加热将焊接剂固化,完成芯片焊接的过程;

   所述的焊接剂为锡膏或银浆;所述的基板为环氧树脂敷铜电路板(PCB)、聚酰亚胺(PI)敷铜电路板或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)电路板;所述的机械手为表面贴装设备的器件拾取装置;所述的芯片为晶圆经过减薄切割后没有进行封装的单颗裸芯片。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的焊接剂设置在基板的焊盘表面,是通过钢网印刷工艺将胶状的焊接剂在基板焊盘表面形成具有一定厚度的图形,其厚度在25um-200um之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的芯片包装为圆片型包装、小盒包装或编带包装。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的芯片的焊盘经过非铝化表工艺处理,使芯片焊盘和焊接剂可以有效浸润。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述回流焊炉加热将焊接剂固化的过程是第一阶段预热段:温度先从室温上升至T1;第二阶段保温段:温度在T2之间保持;第三阶段回流段:温度从T3-T4-T3期间为回流温度,第四阶段冷却段:温度从T3下降至室温;

T1为100-120℃、150-170℃或180℃-200℃;

T2为100-150℃、150-200℃或180℃-230℃;

T3为140-160℃、190-210℃或220℃-240℃;

T4为160-180℃、210-250℃或240℃-280℃;

针对不同的材质、焊接剂选择对应的温度范围。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对于焊接强度要求高的产品,需要在芯片的周围设置补强胶,使焊接可靠。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的补强胶为紫外线固化胶、硅胶或环氧树脂胶。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,补强胶的位置设置在芯片的4个角上。

9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,补强胶的位置设置在芯片的2个对边或4周。

10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,补强胶的位置把芯片全部包封起来。

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