[发明专利]集成电路元件的制造方法

说明书

本发明是2001年9月19日向中国国家知识产权局提出的申请号为008052565、发明名称为“集成电路元件及其制造方法和承载集成电路元件的信息载体及其制造方法”的分案申请。

技术领域

本发明涉及在芯片上一体形成线圈的IC元件、该IC元件的制造方法、装载该IC元件的信息载体、以及该信息载体的制造方法。

背景技术

以往，已知在规定形状的基体内包括IC元件和与该IC元件的端子部电连接的天线线圈，用电磁波非接触地进行与来自读写器的电力的赋予和读写器之间的信号的发送接收的非接触式的信息载体。作为这种信息载体，根据其外形，有卡片形、硬币形或纽扣形。

以往，作为这种信息载体，将天线线圈构图形成在基体上，或者将绕组构成的天线线圈安装在基体上，但近年来，由于不需要进行天线线圈与IC元件之间的连接点的保护处理和防潮对策，以及在基体弯曲或扭曲等压力作用的情况下也具有不产生线圈断线的良好耐久性，所以提出将在IC元件本身上一体形成天线线圈的IC元件搭载在基体上。

作为在IC元件中形成天线线圈的方法，可使用溅射法，在IC元件中一体形成的天线线圈的导体由溅射铝膜来构成。

但是，在将天线线圈一体形成在IC元件上时，将天线线圈构图形成在基体上，与将绕组构成的天线线圈安装在基体上的情况相比，线圈的圈径和导体宽度减小，由于在匝数上自然存在限制，所以难以增大读写器之间的通信距离，并不能确保通信距离。

发明内容

本发明是用于解决这样的现有技术问题的发明，作为搭载将天线线圈一体形成的IC元件的信息载体，以提供通信距离更大的信息载体及其制造方法、以及在这种信息载体上一体形成合适的天线线圈的IC元件结构及其制造方法作为技术课题。

<IC元件>

为了完成上述课题，本发明在IC元件，其特征在于，该IC元件与用于非接触地进行与外部的数据通信的线圈一体形成，将构成所述线圈的导体形成为具有金属溅射层或金属镀敷层、及金属电镀层的多层构造，所述金属溅射层或金属镀敷层是用包含铝、镍、铜、铬中的至少一种金属或包含它们的合金来形成的，在所述金属溅射层或金属镀敷层上的所述金属电镀层是用铜形成的。

由于与金属溅射层和金属镀敷层相比，金属电镀层的电阻值小，所以将线圈的导体形成具有金属溅射层或金属镀敷层和金属电镀层的多层构造时，与仅简单地由金属溅射层或金属镀敷层构成的情况相比，可以减小电磁能量的损失，可以增大读写器之间的通信距离。

<IC元件的制造方法>

为了完成上述课题，在本发明的IC元件的制造方法中，在经过规定的处理制作的完成晶片的表面保护膜上均匀地形成金属溅射层和金属镀敷层的步骤；在该金属溅射层或金属镀敷层上均匀地形成光致抗蚀剂层的步骤；通过对所述光致抗蚀剂层进行包括用于非接触进行与外部的数据通信的线圈所需的图形的曝光、显像来以所述规定的图形露出所述金属溅射层或金属镀敷层的步骤；在所述金属溅射层或金属镀敷层的露出部分上用无电解电镀法或电镀法或精密电铸法来层积金属电镀层的步骤；除去在所述完成晶片上附着的光致抗蚀剂层的步骤；有选择地腐蚀从所述金属电镀层露出的所述金属溅射层或金属镀敷层，形成与所述规定的图形相当的规定导电图形的步骤；以及对所述完成晶片进行划线来获得将线圈一体形成所需的IC元件的步骤。

第二，包括：在经过规定的处理制作的完成晶片的表面保护膜上均匀地形成光致抗蚀剂层的步骤；通过对所述光致抗蚀剂层进行包括用于非接触进行与外部的数据通信的线圈所需的图形的曝光、显像来以所述规定的图形露出所述表面保护膜的步骤；将显像处理后的完成晶片装入溅射装置或真空镀敷装置，在所述表面保护膜的露出部分上形成金属溅射层或金属镀敷层的步骤；除去在所述完成晶片上附着的光致抗蚀剂层的步骤；在所述金属溅射层或金属镀敷层上用无电解电镀法或电镀法来层积金属电镀层的步骤；以及对所述完成晶片进行划线来获得将线圈一体形成所需的IC元件的步骤。

这样，在完成晶片上形成包括线圈所需的导电图形，然后对完成晶片进行划线来获得所需的IC元件，与在各个IC元件上形成线圈的情况相比，可以高效率地制造将线圈一体形成的IC元件，可以降低其制造成本。此外，相对于晶片上形成的所有IC元件，可以高精度形成均匀厚度的线圈，可以减少通信特性的偏差。