[发明专利]用于相变存储器的冗余替换方法和相变存储器无效
申请号: | 201110202198.8 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN102332302A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 刘志青;董骁 | 申请(专利权)人: | 北京时代全芯科技有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06;G11C11/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100176 北京市经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 相变 存储器 冗余 替换 方法 | ||
1.一种用于相变存储器的冗余替换方法,其特征在于,包括以下步骤:
对相变存储器进行测试以确定信息行/列,并获得所述相变存储器中出错误的行/列的信息;
为所述有错误的行/列选择替换的冗余行/列,并记录替换信息;
将所述替换信息保存至所述信息行/列,其中,所述替换信息在所述信息行/列中至少重复存储N次,所述N为大于1的整数;
在进行读/写操作时,如果相应的读地址/写地址为所述出错误的行/列地址,则读取所述信息行/列中重复存储N次的替换信息;
根据所述重复存储N次的替换信息进行多数表决以对所述替换信息进行纠错;和
根据所述纠错后的替换信息选择与所述读地址/写地址相对应的冗余行/列进行读操作/写操作。
2.如权利要求1所述的用于相变存储器的冗余替换方法,其特征在于,所述N为4。
3.如权利要求2所述的用于相变存储器的冗余替换方法,其特征在于,所述根据重复存储4次的替换信息进行多数表决进一步包括:
判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量是否相同;
如果判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量不相同,则选择所述0和1之中数量多的一个作为纠错后的替换信息;和
如果判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量相同,则选择非晶态代表的数值作为纠错后的替换信息。
4.如权利要求1所述的用于相变存储器的冗余替换方法,其特征在于,所述N次替换信息为在所述信息行/列中按比特连续重复存储。
5.如权利要求1所述的用于相变存储器的冗余替换方法,其特征在于,选择冗余行/列中错误率低的冗余行/列作为所述信息行/列。
6.一种相变存储器,其特征在于,包括:
存储单元阵列;
多个冗余行/列,所述多个冗余行/列作为所述存储单元阵列之中出错误的行/列的备份;
信息行/列,所述信息行/列之中保存有记录所述有错误的行/列与所述冗余行/列之间关系的替换信息,其中,所述替换信息在所述信息行/列中至少重复存储N次,所述N为大于1的整数;和
读写控制器,所述读写控制器在进行读/写操作,且相应的读地址/写地址为所述出错误的行/列地址时,读取所述信息行/列中重复存储N次的替换信息,并根据所述重复存储N次的替换信息进行多数表决以对所述替换信息进行纠错,以及根据所述纠错后的替换信息选择与所述读地址/写地址相对应的冗余行/列进行读操作/写操作。
7.如权利要求6所述的相变存储器,其特征在于,所述N为4。
8.如权利要求7所述的相变存储器,其特征在于,所述读写控制器根据以下规则进行纠错:
判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量是否相同;
如果判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量不相同,则选择所述0和1之中数量多的一个作为纠错后的替换信息;和
如果判断所述存储4次的替换信息中0和1的数量相同,则选择非晶态代表的数值作为纠错后的替换信息。
9.如权利要求7所述的相变存储器,其特征在于,所述读写控制器包括多个多数表决模块,每个所述多数表决模块具有4个输入,所述多数表决模块选择所述4个输入中0和1中数量多的一个作为纠错后的替换信息,并在所述4个输入中0和1的数量相同时,选择非晶态代表的数值作为纠错后的替换信息。
10.如权利要求9所述的相变存储器,其特征在于,所述多数表决模块进一步包括:
第一或处理单元,所述第一或处理单元的输入端分别与所述4个输入中的第一输入和第二输入相连;
第一和处理单元,所述第一和处理单元的输入端分别与所述4个输入中的第一输入和第二输入相连;
第二或处理单元,所述第二或处理单元的输入端分别与所述4个输入中的第三输入和第四输入相连;
第二和处理单元,所述第二和处理单元的输入端分别与所述4个输入中的第三输入和第四输入相连;
第三和处理单元,所述第三和处理单元的输入分别与所述第一或处理单元和所述第二和处理单元的输出相连;
第四和处理单元,所述第四和处理单元的输入分别与所述第一和处理单元和所述第二或处理单元的输出相连;和
第三或处理单元,所述第三或处理单元的输入分别与所述第三和处理单元和所述第四和处理单元的输出相连。
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