[发明专利]一种微电子温度传感器及其制备工艺

权利要求书

1.一种微电子温度传感器，其特征在于：以玻璃衬底为芯片基板，在玻璃衬底上表面设置两个单晶硅锚区，对称分列于水平中心线的上、下两侧，两个单晶硅锚区之间的水平中心线上设置一条单晶硅锁存杆，杆端设有锁头，单晶硅锁存杆与玻璃衬底上表面之间设有间距，单晶硅锁存杆与上、下两个单晶硅锚区之间分别设置一组数量相同、完全对称的多条悬浮单晶硅感温梁，单晶硅感温梁斜向、间隔并行设置，以单晶硅锁存杆为联接一端，两组单晶硅感温梁另一端分别向左上、左下两个方向倾斜，悬浮联接上、下两个单晶硅锚区，在单晶硅锁存杆右侧，以单晶硅锁存杆为水平对称轴，上下各设置3个共6个单晶硅锚区，6个单晶硅锚区在同一垂线上，上、下各3个单晶硅锚区中，位于外侧的锚区与中间的锚区之间悬浮连接一热执行器，该热执行器系一条分为粗细两段的单晶硅梁，在粗细两段连接处折弯，粗段在外侧，其端点连接外侧的锚区，细段之端点连接中间的锚区，内侧的锚区悬浮连接一条水平单晶硅锁存钩，其钩头与单晶硅锁存杆的锁头相配，钩头背面与热执行器的粗细两段梁折弯点活动铰支联接，所有的单晶硅锚区均生根于玻璃衬底上表面。

2.根据权利要求1所述微电子温度传感器，其特征在于：上下两组斜向悬浮单晶硅感温梁与垂线的夹角7°-14°。

3.根据权利要求1所述微电子温度传感器的制备工艺，其特征在于：采用Au—Au低温键合实现单晶硅与玻璃衬底的键合并实现电的转移互连；首先选取硅片，并在其上涂胶，光刻刻出感温梁及热执行器区域的窗口，然后采用ICP或RIE刻蚀硅形成1—10μm浅槽；去掉光刻胶后溅射金属并光刻，形成键合区域，同时在玻璃衬底上淀积金属并光刻形成键合区域和引线压焊区域，再将硅片和玻璃采用Au-Au键合，并且采用化学机械抛光使硅片减薄至合适的厚度，最后采用光刻和ICP硅刻蚀释放整个结构。