[发明专利]非易失性存储器件、存储系统和执行读操作的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本发明要求2010年7月6日提交的韩国专利申请No.10-2010-64665的 优先权，其主题通过引入在此并入。

技术领域

本公开涉及操作非易失性存储器件的方法、非易失性存储器件和包括该 器件的系统。更具体地，本公开涉及在各种读操作期间调整施加到非易失性 存储单元的控制信号的性质和定时的方法。

背景技术

非易失性存储器件和包括该器件的存储系统已经成为在当代电子设备和 数字数据系统中的设计主体部分。存在许多不同类型的非易失性存储器，包 括电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。所谓的“快闪存储器”是一类 EEPROM并且被广泛地使用，因为它不仅允许如随机访问存储器(RAM)一 样的随机编程性，而且能够如只读存储器(ROM)一样在缺乏施加的电源时 维持存储的数据。由于这些品质，快闪存储器现在被广泛地用于数据存储介 质中，尤其在诸如膝上型和记事本型的计算机、数字照相机、个人数字助理 (PDA)和MP3播放器的便携电子设备中。

发明内容

本发明构思的具体实施例提供一种操作非易失性存储器件的方法，包括： 在针对具有正的阈值电压且连接在选择的字线和选择的位线之间的非易失性 存储单元的读操作期间，施加正的读电压到选择的字线和施加第一控制信号 到与选择的位线连接的页缓冲器，以及在针对具有负的阈值电压的存储单元 的读操作期间，施加负的读电压到选择的字线和施加不同于第一控制信号的 第二控制信号到页缓冲器。

在相关方面，第二控制信号比第一控制信号引起相对更多的电荷在选择 的位线上累积或维持。

在另一相关方面，第一控制信号定义第一读操作间隔，该第一读操作间 隔包括第一放电间隔、第一预充电间隔、第一发展间隔和第一读出间隔；以 及第二控制信号定义包括第二放电间隔、第二预充电间隔、第二发展间隔和 第二读出间隔的第二读操作间隔。

在另一相关方面，第二读操作间隔在持续时间上比第一读操作间隔长。

在另一相关方面，其中第二预充电间隔在持续时间上比第一预充电间隔 长。

在另一相关方面，第二读操作间隔在持续时间上比第一读操作间隔长。

在另一相关方面，第二预充电间隔在第二读操作间隔中比第一预充电间 隔在第一读操作间隔中开始得相对更早。

在另一相关方面，第二发展间隔在第二读操作间隔中比第一发展间隔在 第一读操作间隔中开始得相对晚些。

在另一相关方面，正的读电压施加到选择的字线和负的读电压施加到选 择的字线在读操作间隔的至少一部分内相对于初始字线电压对称。

在另一相关方面，正的读电压施加到选择的字线和负的读电压施加到选 择的字线在读操作间隔的至少一部分内相对于初始字线电压不对称。

在另一相关方面，负的读电压施加到选择的字线比正的读电压占据读操 作间隔的更长的部分。

在另一相关方面，以相对于负的目标电压的一电压斜坡特征将负的读电 压施加到选择的字线，该电压斜坡特征与施加到选择的字线的正的读电压相 对于正的目标电压的电压斜坡特征不同。

在另一相关方面，朝向负的目标电压的负的读电压的电压斜坡特征比朝 向正的目标电压的正的读电压的电压斜坡特征更陡。

在另一相关方面，在初始字线电压和与正的读电压相关的正的目标电压 之间的正的差的绝对值小于在初始字线电压和与负的读电压相关的负的目标 电压之间的负的差的绝对值。

在另一相关方面，读操作是编程-读-验证操作，或擦除-读-验证操作。

在另一相关方面，非易失性存储单元是多电平存储单元(MLC)。

在另一相关方面，非易失性存储单元是NAND类型的快闪存储单元。

在另一实施例中，本发明构思提供一种操作非易失性存储器件的方法， 包括：在针对连接在选择的字线和选择的位线之间的存储单元并且对选择的 字线施加正的读电压的读操作期间，在相对于其中对选择的字线施加正的读 电压的时间的第一时间处对选择的位线施加位线电压；以及在针对该存储单 元并且对选择的字线施加负的读电压的读操作期间，在比第一时间晚的第二 时间处对选择的位线施加位线电压，以使得位线电压的施加发生在其中负的 读电压从初始字线电压转换到负的目标电压的间隔期间。