[发明专利]非易失性存储器件、存储系统和执行读操作的方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器件的方法，包括：

在针对具有正的阈值电压且连接在选择的字线和选择的位线之间的非易 失性存储单元的读操作期间，将正的读电压施加到选择的字线以及将第一控 制信号施加到与选择的位线连接的页缓冲器，其中第一控制信号定义第一读 操作间隔，该第一读操作间隔包括第一放电间隔、第一预充电间隔、第一发 展间隔和第一读出间隔；以及

在针对具有负的阈值电压的存储单元的读操作期间，将负的读电压施加 到选择的字线以及将不同于第一控制信号的第二控制信号施加到页缓冲器， 其中第二控制信号定义第二读操作间隔，第二读操作间隔在持续时间上比第 一读操作间隔长并且包括第二放电间隔、第二预充电间隔、第二发展间隔和 第二读出间隔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第二控制信号比第一控制信号引起 相对更多的电荷累积或维持在选择的位线上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中第二预充电间隔在持续时间上比第 一预充电间隔长。

4.根据权利要求3所述的方法，其中第二读操作间隔在持续时间上比第 一读操作间隔长。

5.根据权利要求1所述的方法，其中第二预充电间隔在第二读操作间隔 中比第一预充电间隔在第一读操作间隔中开始得相对更早。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第二发展间隔在第二读操作间隔中 比第一发展间隔在第一读操作间隔中开始得相对更晚。

7.根据权利要求1所述的方法，其中正的读电压施加到选择的字线的第 一时间段和负的读电压施加到选择的字线的第二时间段在第一和第二读操作 间隔的至少各个部分内相对于初始字线电压对称。

8.根据权利要求1所述的方法，其中正的读电压施加到选择的字线的第 一时间段和负的读电压施加到选择的字线的第二时间段在第一和第二读操作 间隔的至少各个部分内相对于初始字线电压不对称。

9.根据权利要求8所述的方法，其中第二时间段长于第一时间段。

10.根据权利要求8所述的方法，其中以相对于负的目标电压的一电压 斜坡特征将负的读电压施加到选择的字线，该电压斜坡特征与施加到选择的 字线的正的读电压相对于正的目标电压的电压斜坡特征不同。

11.根据权利要求10所述的方法，其中朝向负的目标电压的负的读电压 的电压斜坡特征比朝向正的目标电压的正的读电压的电压斜坡特征更陡。

12.根据权利要求8所述的方法，其中在初始字线电压和与正的读电压 相关的正的目标电压之间的正的差的绝对值小于在初始字线电压和与负的读 电压相关的负的目标电压之间的负的差的绝对值。

13.根据权利要求1所述的方法，其中读操作是编程-读-验证操作，或 擦除-读-验证操作。

14.根据权利要求1所述的方法，其中非易失性存储单元是多电平存储 单元(MLC)。

15.根据权利要求1所述的方法，其中非易失性存储单元是NAND类型 的快闪存储单元。

16.一种操作非易失性存储器件的方法，包括：

在针对连接在选择的字线和选择的位线之间的存储单元并且对选择的字 线施加正的读电压的读操作期间，在与对选择的字线施加正的读电压的时间 相关的第一时间处对选择的位线施加位线电压；以及

在针对存储单元并且对选择的字线施加负的读电压的读操作期间，在比 第一时间晚的第二时间处对选择的位线施加位线电压，以使得位线电压的施 加发生在负的读电压从初始字线电压转变到负的目标电压的间隔期间。

17.根据权利要求16所述的方法，其中该存储单元具有在负的目标电压 和负的读电压之间的阈值电压，以使得在负的读电压的施加之后存储单元的 导通时间段减小。