[发明专利]固态成像装置和成像系统有效
申请号: | 201110185871.1 | 申请日: | 2011-07-04 |
公开(公告)号: | CN102315236A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 菊池伸;山下雄一郎;藤村大;河野祥士;有岛优;清水伸一郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/341 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李颖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 系统 | ||
1.一种固态成像装置,所述固态成像装置包含多个像素以及遮光层,所述多个像素中的每一个包含光电转换元件,所述遮光层覆盖光电转换元件,其中
所述遮光层包含:
第一遮光部分,覆盖彼此相邻的光电转换元件之间的区域的至少一部分;和
第二遮光部分,用于部分地遮挡入射到所述多个像素中的每一个的光电转换元件上的光,
对于所述遮光层设置开口,入射的光的剩余分量通过所述开口,并且,
所述开口的形状包含十字形部分,所述十字形部分包含沿第一方向延伸的部分和沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的部分。
2.根据权利要求1的固态成像装置,其中
所述多个像素中的每一个还包含像素内读出电路,所述像素内读出电路被配置为将与由光电转换元件产生的电荷对应的信号输出到信号线,
光电转换元件包含:
第一导电类型的第一半导体区域;
第二半导体区域,位于所述第一半导体区域之上并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型;
第二导电类型的第三半导体区域,位于所述第二半导体区域内侧并且具有比所述第二半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度;
和
第二导电类型的第四半导体区域,位于所述第三半导体区域内侧、与所述像素内读出电路连接并且具有比所述第三半导体区域的杂质浓度高的杂质浓度,
所述第三半导体区域包含与所述十字形部分的相交部分重叠的第一部分以及沿第一方向和第二方向延伸以与所述开口重叠的多个第二部分,
所述第四半导体区域位于所述第三半导体区域的第一部分内侧,以及
所述第二遮光部分至少覆盖其中不设置光电转换元件的第三半导体区域的区域。
3.根据权利要求2的固态成像装置,其中,所述多个第二部分中的每一个的宽度沿离开所述第一部分的方向减小。
4.根据权利要求2的固态成像装置,其中,连接所述第四半导体区域和所述像素内读出电路的布线图案的一部分被布置为与所述开口重叠。
5.根据权利要求1的固态成像装置,其中
所述多个像素中的每一个还包含像素内读出电路,所述像素内读出电路被配置为将与由光电转换元件产生的电荷对应的信号输出到信号线,以及
使得连接光电转换元件和所述像素内读出电路的布线图案的一部分与开口重叠。
6.根据权利要求1的固态成像装置,还包括:
设置在光电转换元件之上的闪烁体,
其中,由所述闪烁体转换的光在不通过用于将光会聚到光电转换元件中的微透镜的情况下被照射到光电转换元件上。
7.一种固态成像装置,所述固态成像装置包含多个像素以及遮光层,所述多个像素中的每一个包含光电转换元件,所述遮光层覆盖光电转换元件,其中
所述遮光层覆盖彼此相邻的光电转换元件之间的区域的至少一部分,
所述遮光层包含遮光部分和开口,所述遮光部分用于部分地遮挡入射到所述多个像素中的每一个的光电转换元件上的光,入射的光的剩余分量通过所述开口,以及
每个开口包含多个周期性地布置的开口。
8.根据权利要求7的固态成像装置,还包括:
设置在光电转换元件之上的闪烁体,
其中,由所述闪烁体转换的光在不通过用于将光会聚到光电转换元件中的微透镜的情况下被照射到该光电转换元件上。
9.一种成像系统,包括:
根据权利要求1~8中的任一项的固态成像装置;和
被配置为处理从所述固态成像装置输出的信号的处理器。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的