[发明专利]一种阵列基板制造方法和刻蚀设备

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造技术，特别是涉及一种阵列基板制造方法和刻蚀设备。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。在TFT-LCD的生产工艺中，阵列工序主要是用来制造TFT基板及彩色滤光片。图5为阵列基板结构示意图，包括TFT基板1、栅极层2、绝缘非金属薄膜层3、有源层4、源极漏极电极层5、绝缘保护层7、透明电极层8、通路孔9。

如图1所示，现有技术中的阵列基板制造工艺主要工序为：基板清洗→镀膜→清洗→光刻胶涂附→曝光→显影→刻蚀→光刻胶剥离→清洗→检查。镀膜分金属膜和非金属膜，金属膜采用物理气相淀积的方式成膜，又叫溅射；非金属膜采用化学气相淀积法成膜。光刻胶涂附指将光刻胶均匀涂附到基板表面的工序，原理极其简单，但性能要求却极高，涂附也是TFT制造中极关键的工序之一。曝光就是要将掩模板上的图形转移到涂附好光刻胶的基板上，精度要求极高，曝光机是最昂贵的设备。显影就是将曝光后感光部分的光刻胶溶解并去除，留下未感光部分的光刻胶，从而形成图形，光刻胶有正胶、负胶之分，负胶就是感光了的光刻胶留下，正胶则相反，显影液通常为碱性物质如氢氧化钾、氢氧化钠等。经过显影留下来的光刻胶成了保护掩模板，未被保护的薄膜将通过刻蚀工艺去除。光刻胶的剥离是指将刻蚀完成后的光刻胶去除。

可以看出，在现有技术阵列工艺中，光刻工艺占有较大的时间比重且无法略去。由于需要进行光刻胶涂附，经常会产生光刻胶气泡缺陷。如图2所示，光刻胶11内的气泡缺陷是一种常见的缺陷，其会影响曝光区域，使不该被曝光的位置曝光，从而造成断线缺陷，严重影响产品的品质，阵列工艺的可操作性较差。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示器生产过程中的阵列基板制造方法，用以解决现有技术中存在的光刻工艺繁琐但无法略去此工艺的技术问题。

本发明的另一个目的是提供一种刻蚀设备，用以解决现有设备无法直接对基板上的薄膜层进行刻蚀的技术问题。

本发明阵列基板制造方法包括：在基板上镀上薄膜层；透过镂空的掩模板对所述薄膜层进行刻蚀。

所述掩模板可以集成于刻蚀设备的刻蚀腔内；所述刻蚀优选为干法刻蚀；所述薄膜层为绝缘非金属薄膜层，绝缘成分为氮化硅；在进行刻蚀时掩模板贴附在基板薄膜层上；所述掩模板加工精度单位为微米，尺寸大小与基板相同，其材质为抗腐蚀金属；在镀上薄膜层之前，还进一步包括对基板进行清洗；在镀上薄膜层之后，和/或，在刻蚀之后，还进一步包括对制造中的阵列基板进行清洗。

本发明刻蚀设备的刻蚀腔内集成有镂空的掩模板，该掩模板的尺寸大小与基板相同。

在本发明方案中，由于是透过镂空的掩模板对基板上的薄膜层进行刻蚀，刻蚀时该掩模板贴附在基板薄膜层上，这样被镂空掩模板挡住的部分就不会被刻蚀掉，而未被挡住的部分则会被刻蚀掉，从而省去了传统工艺中光刻胶涂附、曝光、显影、光刻胶剥离等步骤，简化了阵列基板制造工艺，缩短了工艺时间，大大提升了产能，同时避免了由于光刻胶涂附、曝光、显影、光刻胶剥离等这些工艺步骤带来的缺陷，提高了阵列工艺的可操作性。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为现有技术阵列基板制造工艺示意图；

图2为现有技术光刻胶气泡缺陷示意图；

图3为本发明阵列基板制造工艺示意图；

图4为本发明所用干法刻蚀设备刻蚀腔内集成掩模板示意图；

图5为阵列基板结构示意图；

图6为干法刻蚀示意图。

附图标记说明：

1-基板；         2-栅极层；         3-绝缘非金属薄膜层；

4-有源层；       5-源极漏极电极层； 6-掩模板；

7-绝缘保护层；   8-透明电极层；     9-通路孔；

10-等离子体；    11-光刻胶。

具体实施方式

为了解决现有技术中存在的光刻工艺繁琐却无法略去此工艺的技术问题，在本发明实施例阵列基板的制造过程中，需要在基板上镀上薄膜层，然后透过镂空的掩模板对所述薄膜层进行刻蚀。

参见图3所示，本发明阵列基板制造方法一具体实施例的步骤为：