[发明专利]长余辉器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光材料的封装技术领域，尤其涉及一种长余辉器件及其制造方法。

背景技术

长余辉现象俗称夜光现象，在古代就已被人们发现。盛行的“夜明珠”、“夜光壁”就是莹石类的天然矿物，它们能够存储日光的能量，在夜晚以发光的形式缓慢释放这些能量，亦即夜光。长余辉材料，就是能够存储外界光辐照如紫外光和可见光等的能量，然后在室温下缓慢地以发可见光的形式释放这些存储能量的材料。

长余辉现象的产生一般认为是由于掺杂引起杂质能级(缺陷能级)的产生。在激发阶段，杂质能级捕获空穴或电子，当激发完成后，这些电子或空穴由于热运动而释放，将能量传递给激活离子而导致其发光。由于能量的热运动释放是一个缓慢的过程，从而激活离子的发光呈现出长余辉发光的特点。当陷阱深度太深时，被俘获的电子或空穴不能顺利地从陷阱中释放出来，这样使材料余辉时间变短。除了要求合适的陷阱深度，掺杂的离子对陷阱中电子或空穴具有合适的亲和力也很重要，太强或太弱的亲和力对余辉均起不到延长作用。

选择合适的激活离子，使长余辉材料具有合适的陷阱，对材料中的能量传递过程进行优化，提高传递效率，使材料的长余辉发光的性质得到极大的提高。一般地，长余辉材料通常应用于地铁行人导向标识、道路标志牌、桥梁标志牌、盾牌、分界线、步行道、灯柱、隧道标志等，做成各种建筑物用的外墙涂料、油漆、油墨等，应用面不广阔。

因此，提供一种长余辉器件及其制造方法，是非常必要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种长余辉器件及其制造方法，以解决长余辉材料应用面窄的问题。

为解决上述问题，本发明提出一种制备长余辉器件的方法，该方法包括如下步骤：配制稀土荧光粉；将所述稀土荧光粉设置在发光器件的出光面上。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述稀土荧光粉由以下成分组成：aMO·bAl₂O₃·cSiO₂·dGa₂O₃；xEu·yB·zN，其中，a、b、c、d、x、y和z为系数，0.4≤a≤2，0.4≤b≤2.8，0.001≤c≤1，0.0001≤d≤1，0.0001≤x≤1，0.0001≤y≤1，0.0001≤z≤1；M为Ca、Sr中的至少一种，N为Dy、Nd中的至少一种。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述成分组成为，0.7≤a≤1.2，0.7≤b≤2.8，0.002≤c≤0.061，0.005≤d≤0.5，0.005≤x≤0.1，0.02≤y≤0.5，0.005≤z≤0.05。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述稀土荧光粉涂覆在所述发光器件的出光面。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述稀土荧光粉掺入到所述发光器件出光面的材料中。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述稀土荧光粉与荧光粉用胶调制成荧光胶，再将所述荧光胶涂覆在所述发光器件的出光面。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述发光器件由塑料、树脂、玻璃、纤维、陶瓷或搪瓷材料制造。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述发光器件为发光二极管。

优选地，在所述制备长余辉器件的方法中，所述发光器件为太阳能设备。

本发明还提供了一种长余辉器件，包括：发光器件；以及设置在所述发光器件的出光面上的稀土荧光粉。

优选地，在所述长余辉器件中，所述稀土荧光粉由以下成分组成：aMO·bAl₂O₃·cSiO₂·dGa₂O₃；xEu·yB·zN，其中，a、b、c、d、x、y和z为系数，0.4≤a≤2，0.4≤b≤2.8，0.001≤c≤1，0.0001≤d≤1，0.0001≤x≤1，0.0001≤y≤1，0.0001≤z≤1；M为Ca、Sr中的至少一种，N为Dy、Nd中的至少一种。

优选地，在所述长余辉器件中，成分组成为，0.7≤a≤1.2，0.7≤b≤2.8，0.002≤c≤0.061，0.005≤d≤0.5，0.005≤x≤0.1，0.02≤y≤0.5，0.005≤z≤0.05。

优选地，在所述长余辉器件中，所述稀土荧光粉涂覆在所述发光器件的出光面。

优选地，在所述长余辉器件中，所述稀土荧光粉掺入到所述发光器件出光面的材料中。