[发明专利]激光辐照设备

说明书

技术领域

实施例总体涉及激光辐照设备。更具体地说，所描述的技术总体涉及使用激光束对半导体层进行结晶的激光辐照设备。

背景技术

诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)等的多数平板显示设备通过若干种类型的薄膜工艺制造而成。具体地，具有良好载流子迁移率的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)可以用于例如高速运算电路和CMOS电路等的多种应用，因此得到了普遍采用。

LTPS TFT包括通过对非晶硅进行结晶而形成的多晶硅层。对非晶层进行结晶的方法包括固相结晶方法、准分子激光结晶方法以及使用金属催化剂的结晶方法。

在各种结晶方法中，准分子激光结晶方法由于能够实现低温工艺从而使基板上的热效应相对较小，并且能够使多晶硅层具有例如超过100cm²/Vs的相对良好的载流子迁移率，因此得到了广泛应用。然而，准分子结晶方法需要使用狭缝图案的激光束对每个半导体进行扫描。这导致准分子结晶方法具有比其它结晶方法低很多的生产能力。

在背景部分中公开的以上信息仅用于加强对所描述技术的背景的理解，因此其可以包含并不组成为本国内的本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

实施例致力于一种激光辐照设备，其基本上克服由于相关技术的限制和缺点而导致的一种或多种问题。

因此，实施例的特征在于提供一种提供提高的生产能力的激光辐照设备。

以上及其它特征和优点中至少之一可以通过提供一种激光辐照设备来实现，该激光辐照设备沿扫描方向向包括多个像素区域的半导体层辐照激光束。另外，所述激光辐照设备包括：至少一个激光掩膜，包括分别与所述多个像素区域的部分面对的多个狭缝组；以及激光发生器，产生穿过所述至少一个激光掩膜的所述多个狭缝组的所述激光束。

所述半导体层的所述多个像素区域中的每一个可以被划分成结晶区域和非结晶区域，所述结晶区域和所述非结晶区域可以沿所述扫描方向交替布置。

所述结晶区域在各个像素区域中可以位于同一位置。

所述多个狭缝组可以对应于所述半导体层的所述结晶区域。

所述多个狭缝组之间的间隙可以相等，并且可以与所述半导体层的所述非结晶区域在所述扫描方向上的长度成比例。

所述多个狭缝组中至少之一可以包括长轴与所述扫描方向平行的多个狭缝。

在所述半导体层的所述结晶区域中可以平行于所述扫描方向形成结晶突起。

所述多个狭缝组中至少之一可以包括布置在与所述扫描方向垂直的方向上并且尺寸彼此相等的多个第一狭缝和多个第二狭缝。所述多个第一狭缝和所述多个第二狭缝可以被布置为彼此偏离狭缝宽度的1/2。

所述多个第一狭缝和所述多个第二狭缝的侧边可以在两端处逐渐变窄为倾斜的形状。

所述多个狭缝组中至少之一可以包括长轴与所述扫描方向垂直的多个狭缝。

在所述半导体层的结晶区域中可以在与所述扫描方向交叉的方向上布置结晶突起。

在所述激光辐照设备中，所述激光发生器可以包括：振荡第一激光束的第一激光发生器；和振荡第二激光束的第二激光发生器。

所述第一激光发生器和所述第二激光发生器可以以预定周期打开/关断所述第一激光束和所述第二激光束的振荡。

所述预定周期可以与所述第一激光束和所述第二激光束的扫描速度成反比，并且与所述像素区域在所述扫描方向上的长度成正比。

所述预定周期的一个周期可以对应于所述像素区域的由所述第一激光束和所述第二激光束沿所述扫描方向辐照的长度。

所述第一激光束和所述第二激光束中至少之一可以被打开的时间对应于所述半导体层中所述结晶区域之间沿所述扫描方向的长度。所述第一激光束和所述第二激光束中至少之一可以被关断的时间对应于所述半导体层中所述非结晶区域沿所述扫描方向的长度。

所述第一激光束和所述第二激光束可以以一时间间隙顺序振荡。

当有多于一个激光掩膜时，所述第一激光束和所述第二激光束可以分别被划分并被导向每个激光掩膜。

附图说明

对于本领域技术人员来说，以上及其它特征和优点将通过结合附图对示例性实施例进行的详细描述而变得更加明显，附图中：

图1示出根据第一示例性实施例的显示装置的示意图。

图2示出图1的激光掩膜的狭缝组的俯视图。

图3示出由图1的激光辐照设备结晶的像素区域的俯视图。

图4和图5分别示出从图1的激光发生器振荡的激光束的振荡周期和波形的图。