[发明专利]有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光器件制造过程中图案形成的方法，具体涉及有机发光器件金属引线和阳极图案同时形成的方法。

背景技术

现有有机发光器件的四种图案分别由四道光刻形成，它们制程的先后顺序为：金属引线图案、透明导电阳极图案、底层像素绝缘层、阴极隔离柱，前两种图案的用两道光刻制程，第一道光刻制程：玻璃清洗、UV、光刻胶涂布、预烘、冷板、金属引线图案模板曝光、显影、金属蚀刻、剥膜；第二道光刻制程：玻璃清洗、UV、光刻胶涂布、预烘、冷板、透明导电薄膜图案模板曝光、显影、透明导电氧化膜蚀刻、剥膜。由于现有有机发光器件的前两种图案用两道光刻制程形成，制程复杂，并且现有制程中的蚀刻方法都是用酸液蚀刻，酸液用量大，污染大且成本高。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的缺点，本发明的目的在于提供一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，简化了流程、提高了生产效率、降低了成本同时减少了污染。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种有机发光器件金属引线图案和阳极图案同时形成的方法，步骤如下：

步骤1：先将待洗的玻璃基板用中性或碱性清洗剂、毛刷或超声波的方式清洗该玻璃基板表面，直至去除掉玻璃基板表面的灰尘和油脂组成的污渍；

步骤2：接着同时用加热和紫外光照射该去除掉污渍的玻璃基板，加热温度为80-110℃，时间0.5-3分钟，紫外光照射能量为10-50J/cm²；

步骤3：随后把光刻胶涂布在该加热和紫外光照射过的玻璃基板表面上，直至在玻璃基板表面形成厚度一致且厚度为2.0-2.5mm的光刻胶层；

步骤4：再把光刻胶涂布过的玻璃基板用温度为90-125℃烘箱预烘90-180秒；

步骤5：再把预烘后的玻璃基板放置在冷板上，冷板温度21-22℃，放置时间为30-60秒；

步骤6：把冷却后的玻璃基板经掩膜板后进行曝光，曝光能量为30-150mj/cm2，所述掩膜板金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案为半反射膜，透明阳极图案为全反射膜；

步骤7：对曝光后的玻璃基板进行显影，显影后玻璃基板上无反射部分光刻胶厚度为0um，透明阳极图案光刻胶厚度为1.0-1.2um，而金属引线图案光刻胶厚度比金属引线图案与透明阳极图案的公共部分图案光刻胶厚度大1.0-1.2um；

步骤8：对显影后的玻璃基板，使用等离子方式刻蚀其上的金属膜和透明导电氧化膜，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1-13Pa时，通入预设的反应气体，通入反应气体与抽真空速度维持于8-26Pa之间，然后启动射频发生器，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；

步骤9：对刻蚀了金属膜和透明导电氧化膜后的玻璃基板，再使用等离子方式刻蚀其上的部分光刻胶，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1-13Pa时，通入预设的反应气体，通入该反应气体与抽真空速度维持于8-26Pa之间，然后启动射频发生器，蚀刻掉0.6-1.2um厚度的光刻胶，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；

步骤10：对刻蚀了光刻胶后的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的金属膜全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备；使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1-13Pa时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8-26Pa之间，然后启动射频发生器把金属膜蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒；

步骤11：对刻蚀掉全部金属膜的玻璃基板，继续使用等离子方式把其上的光刻胶全部刻蚀掉，具体方式是用直流偏压或交流射频设备，使玻璃基板腔体抽真空值达到0.1-13Pa时，通入预设的反应气体，通入气体与抽真空速度维持于8-26Pa之间，启动射频发生器把光刻胶全部蚀刻掉，射频发生器功率为300-5000W，电极距离为10-60mm，处理时间为20-120秒。

所述直流偏压或交流射频设备的频率为13.55MHZ，真空度为1-400Pa。

所述步骤8中，通入的反应气体是预设比例Cl₂和O₂的混合气体。

所述步骤9中，通入的反应气体是预设比例He和O₂的混合气体。