[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置。

背景技术

公知有例如，在FPD(Flat Panel Display)的制造工序中，在真空输送室的周围设置对玻璃基板等基板进行处理的多个处理室，通过设置于输送室内的输送臂，在真空输送室与处理室之间进行基板的交接的基板处理装置。作为利用所述处理室进行的处理，举例有蚀刻、灰化(ashing)、成膜等处理。

例如，所述处理室由载置基板并且上部开口的容器主体和可开闭该容器主体的开口部的盖体构成，其在进行处理室内的维护、盖体的维护之时，能够将盖体从容器主体取出。在盖体上设置供给处理气体的气体喷头，作为盖体的维护作业之一，有气体喷头的部件的交换等。

在专利文献1中关于该盖体的开闭动作提出了一种方案。在该结构中，在利用设置于每个处理室的盖体的开闭机构使盖体从容器主体上升后，使盖体从容器主体滑动到偏离位置。接着，在使盖体下降之后使盖体反转。在该手法中，通过将盖体沿着与朝向处理室的基板的输送方向正交的方向滑动，能够减小盖体的开闭动作需要的面积。

然而，由于FPD基板为大型基板，故处理室也形成为俯视形状的一边的尺寸例如分别为3.0m、3.5m的大型的方筒型容器。因此，在针对每个处理室均需要使盖体反转的空间的结构中，如果增加处理室，则难以确保反转盖体的空间，如果意欲确保空间，则会担心装置进一步大型化。另外，由于针对每个处理室都设置有盖体的开闭机构，故如果处理室增加，则会引起装置的制造成本的上涨。

专利文献1：日本特开2007-67218号公报(参照图1、图19)

发明内容

本发明是基于上述的事情而形成的，其目的在于提供一种在真空输送室连接用于处理基板的多个处理室的基板处理装置中，抑制装置的大型化、抑制占地面积的增大的技术。

本发明的基板处理装置，在内部设置有基板输送机构的真空输送室的周围，连接有预备真空室以及用于对基板进行处理的多个处理室，该多个处理室构成为在各个容器主体之上设置盖体，

该基板处理装置的特征在于具备：

第1引导部件，其被设置为在所述真空输送室的上方侧以从该真空输送室侧朝向外侧的方式水平地延伸且沿水平方向移动；

移动体，其被该第1引导部件引导而移动；

第2引导部件，其为了使该移动体在所述处理室的上方与所述第1引导部件之间移动而引导该移动体，且该第2引导部件被设置为在所述移动台静止于对应的位置时水平地位于所述第1引导部件的延长线上；以及

盖体保持机构，其设置于所述移动体，且在该移动体位于第2引导部件上时为了相对于所述容器主体装卸盖体而保持盖体并使盖体升降，并且能够在保持盖体的状态下使该移动体向第1引导部件移动。

此时，也可以构成为，具备设置于所述真空输送室的上方侧且沿水平方向移动的移动台，所述第1引导部件设置于该移动台。另外，该移动台构成为以真空输送室的中心部为中心绕铅直轴旋转的旋转台。

另外，也可以构成为，在所述盖体设置有沿第2引导部件延伸的方向在横向上延伸的被保持部，所述被保持部包含在下方形成有空间的卡止部分，在所述盖体保持机构设置有保持部，所述保持部在进退移动的同时进入到所述卡止部分的下方侧的空间，之后上升而从下方侧推举所述卡止部分，由此举起盖体。

进一步，所述第2引导部件可以针对每个处理室设置，也可以构成为，在不使用时被收纳于移动台侧，在使用时从移动台侧向处理室侧伸出。

更进一步，也可以构成为：所述真空输送室的俯视形状形成为多边形，在所述真空输送室的侧面中的除在所述真空输送室的外方侧用于确保维护区域的一个侧面之外的其他侧面上，分别连接所述预备真空室与处理室。此时，在所述维护区域，也可以设置有保持从所述盖体保持机构交接的盖体并使该盖体反转的盖体反转机构。更进一步，也可以构成为：所述真空输送室具有六个侧面，在所述侧面连接一个所述预备真空室与四个处理室。

根据本发明，构成为：将移动体沿着从真空输送室延伸的第1引导部件以及第2引导部件，向各处理室的上方侧移动，通过设置于该移动体的盖体保持机构来举起各处理室的盖体。因此，由于如果在处理室的上方有空间，则能够打开盖体，故在盖体装卸时不需要处理室的横向的空间，能够抑制装置的设置空间的大型化。另外，由于能够利用共同的盖体保持机构进行多个处理室的盖体的装卸，故能够抑制装置的大型化，抑制占地面积(设置面积)的增大。

附图说明