[发明专利]一种静电卡盘及等离子体加工设备

说明书

技术领域

本发明属于等离子体加工设备领域，涉及一种静电卡盘及含有该静电卡盘的等离子体加工设备。

背景技术

等离子体加工设备是半导体加工技术中常用的设备，其用于进行薄膜沉积、刻蚀等工艺。

等离子体加工设备包括反应腔室以及设置在反应腔室内部的静电卡盘。静电卡盘用于承载并固定晶片。同时，为了避免静电卡盘在工艺过程中被刻蚀，静电卡盘用于承载晶片的上表面的尺寸略小于晶片的直径，即用晶片将静电卡盘覆盖。

在实际加工过程中，晶片的尺寸并不固定，常用的晶片尺寸有2英寸、4英寸、6英寸、8英寸以及12英寸。因此，在加工不同尺寸的晶片时，需要根据所加工的晶片尺寸更换与之对应的静电卡盘。然而，静电卡盘的拆装过程困难，更换静电卡盘所用时间较长，这降低了等离子体加工设备使用率；而且静电卡盘造价昂贵，针对不同尺寸的晶片而配置与之尺寸对应的静电卡盘增加了等离子体加工设备的制造成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题就是针对等离子体加工设备中存在的上述缺陷，提供一种静电卡盘，该静电卡盘用于承载被加工工件的上表面的尺寸可以根据被加工工件的尺寸进行调整，从而可以减少更换静电卡盘的时间，以及降低等离子体加工设备的制造成本。

此外，本发明还提供一种等离子体加工设备，该等离子体加工设备中的静电卡盘的上表面可以根据被加工工件的尺寸进行调整，从而可以减少更换静电卡盘的时间，以及降低等离子体加工设备的制造成本。

解决上述技术问题的所采用的技术方案是提供一种静电卡盘，包括用于承载被加工工件的基座，所述基座包括固定单元和可调单元，所述可调单元嵌套在所述固定单元的外周缘，所述可调单元的上表面可与所述固定单元的上表面齐平或低于所述固定单元的上表面。

优选地，所述可调单元包括n个可调件以及分别驱动各个所述可调件的驱动部件，所述n个可调件自所述固定单元由近及远依次嵌套在所述固定单元的外周缘，在所述驱动部件的驱动下，与之对应的所述可调件的上表面与所述固定单元的上表面齐平或低于所述固定单元的上表面，其中，n为等于或大于1的整数。

优选地，所述n个可调件为环形结构件，与所述固定单元最接近的所述可调件的内径尺寸大于所述固定单元的外径尺寸。

优选地，所述固定单元为圆柱体结构，所述n个可调件是以所述固定单元的对称轴为对称轴的圆环。

优选地，所述驱动部件为气缸或液压缸。

优选地，在每一个所述可调件的内部均设有通道，所述通道与贮存温度调节剂的介质源连接，在每一所述通道与所述介质源之间均设有一控制单元，所述控制单元用于控制所述通道内的温度调节剂的流量。

优选地，所述温度调节剂为水或惰性气体。

优选地，还包括防护部件，当所述可调单元的上表面低于所述固定单元的上表面时，所述防护部件放置在所述可调单元的上表面。

优选地，所述防护部件是由石英或陶瓷材料制成的结构件。

另外，本发明还提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室和静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述反应腔室的内部，所述静电卡盘本发明提供的所述静电卡盘。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的一种静电卡盘，该静电卡盘的基座包括固定单元和可调单元，而且所述可调单元的上表面可与所述固定单元的上表面齐平或低于所述固定单元的上表面，通过调节可调单元上表面的高度即可使所述静电卡盘的基座尺寸满足不同尺寸的被加工工件的要求。这可以减少更换静电卡盘的时间，提高等离子体加工设备的使用率。而且，由于无需根据不同尺寸的被加工工件而对应地设置多个不同尺寸的静电卡盘，因此，该静电卡盘还可以降低等离子体加工设备的制造成本。

类似地，本发明提供的等离子体加工设备，由于静电卡盘的基座包括固定单元和可调单元，而且所述可调单元的上表面可与所述固定单元的上表面齐平或低于所述固定单元的上表面，通过调节可调单元上表面的高度即可使所述静电卡盘的基座尺寸满足不同尺寸的被加工工件的要求。这可以减少更换静电卡盘的时间，提高等离子体加工设备的使用率。而且，由于无需根据不同尺寸的被加工工件而对应地设置多个不同尺寸的静电卡盘，因此，该等离子体加工设备的制造成本低。

附图说明

图1为本发明提供的实施例静电卡盘的结构简图；

图2为本发明提供的变型实施例静电卡盘的结构简图；以及

图3为本发明提供的等离子体加工设备的结构简图。

具体实施方式