[发明专利]一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺

权利要求书

1.一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤为：

将单晶铜杆通过拉丝工序后形成直径为0.01mm～0.5mm的细小单晶铜键合丝；

将经过乙醇超声波清洗器洗涤后的单晶铜键合丝作退火软化加工处理，以使单晶铜键合丝获得较高的破断力和延伸率；

将退火后的单晶铜键合丝穿过乙醇冷却槽作急速冷却处理，防止单晶铜键合丝在高温下与空气中的氧气发生氧化反应，减少单晶铜键合丝表面氧化膜的生成，提高单晶铜键合丝的封装性能；

将通过乙醇冷却槽急速冷却后的单晶铜键合丝进行干燥处理；

将干燥后的单晶铜键合丝复绕分卷及真空包装。

2.如权利要求1所述的一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其特征是：在乙醇冷却槽前设置退火管，将经过退火管高温退火后的单晶铜键合丝穿过乙醇冷却槽，对退火后的单晶铜键合丝进行急速冷却处理。

3.如权利要求1或2所述的一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其特征是：乙醇冷却槽的入口端与退火管的出口端间隔设置；在乙醇冷却槽后设置一块吸水毛毡，在吸水毛毡后安装红外快速干燥器；通过毛毡吸水擦拭和红外热干燥对进入复绕分卷工序的单晶铜键合丝表面进行清洁、干燥。