[发明专利]三氯氢硅湿法除尘装置和除尘工艺

权利要求书

1.一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，包括下部侧壁设置有合成气进料口的除尘精馏塔，所述除尘精馏塔顶部通过汽相连通管线连通于冷凝器，所述冷凝器底部通过液相连通管线连通于所述除尘精馏塔塔顶，所述冷凝器顶部设置有单体混合物出料口；所述除尘精馏塔塔底通过液相连通管线连通于搅拌釜下部，所述搅拌釜顶部通过汽相连通管线连通于所述除尘精馏塔塔底，所述搅拌釜底部设置有残液排出口。

2.根据权利要求1所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述搅拌釜选自涡轮式搅拌釜、桨式搅拌釜、锚式搅拌釜或螺带式搅拌釜其中的一种。

3.根据权利要求2所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述搅拌釜为桨式搅拌釜。

4.根据权利要求1所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述除尘精馏塔是上段为填料、下段为塔板的复合塔。

5.根据权利要求4所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述填料选自规整填料或散堆填料。

6.根据权利要求5所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述填料为规整填料。

7.根据权利要求4所述的一种三氯氢硅湿法除尘装置，其特征在于，所述塔板为抗堵型塔板。

8.一种利用如权利要求1至7任一项所述三氯氢硅湿法除尘装置的除尘工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：

a.将三氯氢硅合成气由除尘精馏塔的合成气进料口通入除尘精馏塔，三氯氢硅合成气进料组成按照质量百分比由以下组分构成：H₂：1％～2％，HCl：8％～10％，SiHCl₃：80％～82％，SiCl₄：7％～8％，重组分杂质：0.3％～0.6％，除尘精馏塔操作压力为120～150kpa；

b.三氯氢硅合成气中的轻组分上升富集通过汽相连通管线进入冷凝器；

c.冷凝器采用部分冷凝，汽相由单体混合物出料口采出，液相由液相连通管线回流至除尘精馏塔，回流比为0.2-0.8；

d.三氯氢硅合成气中的重组分杂质随回流的液相下落至除尘精馏塔；

e.回流液在除尘精馏塔内不断汽化不断冷凝，最终由液相连通管线进入搅拌釜，搅拌釜加热温度为90℃～100℃；

f.搅拌釜中的汽相由汽相连通管线返回除尘精馏塔，未汽化的残液由残液排出口采出。