[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括：有机半导体层、栅绝缘层、栅电极、源电极及漏电极，其特征在于，所述栅绝缘层形成在有机半导体层上；所述栅电极覆盖所述栅绝缘层的顶部表面；所述源电极及漏电极形成在所述有机半导体层上，隔着所述栅绝缘层彼此相对，并分别紧靠所述栅绝缘层的侧壁；所述侧壁与紧靠其的所述源电极或漏电极底部表面之间的夹角不大于90度；其中，所述栅绝缘层材料为光敏材料。

2.根据权利要求1所述有机薄膜晶体管，其特征在于，所述侧壁垂直于所述机半导体层的顶部表面。

3.根据权利要求1或2所述有机薄膜晶体管，其特征在于，所述光敏材料包括：正性光刻胶、负性光刻胶、光敏聚酰亚胺、光敏聚氨酯、光敏聚酯、光敏聚醚、环氧树脂、光敏聚芳醚酮。

4.一种有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成有机半导体层；

在所述有机半导体层上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层由光敏材料制成；

使用掩膜版对所述栅绝缘层进行曝光；

对曝光后的所述栅绝缘层进行显影，获得图案化的栅绝缘层；

在形成有所述图案化的栅绝缘层的所述有机半导体层上形成金属膜，即形成覆盖所述栅绝缘层顶部表面的栅电极、隔着所述栅绝缘层彼此相对并分别紧靠所述栅绝缘层侧壁的源电极和漏电极；

其中，所述侧壁与紧靠该侧壁的所述源电极或漏电极底部表面之间的夹角不大于90度。

5.根据权利要求4所述有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述侧壁垂直于所述有机半导体层的顶部表面。

6.根据权利要求4或5所述有机薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述光敏材料包括：正性光刻胶、负性光刻胶、光敏聚酰亚胺、光敏聚氨酯、光敏聚酯、光敏聚醚、环氧树脂、光敏聚芳醚酮。