[发明专利]一种LED高导热绝缘基座封装的方法及器件

权利要求书

1.一种LED高导热绝缘基座封装的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

①、制备一块绝缘导热板（1），在所述绝缘导热板（1）的上表面，在预先设计的预设位置，采用镀或烧结工艺制作一层可焊接金属第一基面（11）；在所述绝缘导热板（1）的下表面，采用镀或烧结工艺制作一层可焊接金属第二基面（12）；

所述可焊接金属第一基面（11）与可焊接金属第二基面（12）之间彼此绝缘；

②、制备一金属散热器（2），在所述金属散热器（2）的顶面制作一层可焊接金属第三基面（21），该基面能够进行锡焊或金属连接；

③、在绝缘导热板（1）的可焊接金属第一基面（11）预设位置上涂覆高温锡膏，该高温锡膏熔化温度≥250℃，然后将LED灯芯片（4）镀有金属层的底部放置在高温锡膏上，并紧密接触；再将绝缘导热板（1）与LED灯芯片（4）一同加热到250℃以上，使LED灯芯片（4）和绝缘导热板（1）焊接在一起；然后将金丝线焊接在LED灯芯片（4）电极与绝缘导热板（1）上的可焊接金属第一基面（11）上的线路上，或将金丝线焊接在相邻LED灯芯片（4）的电极上形成LED灯的电流通路；然后将与胶水混合好的荧光粉涂覆在LED灯芯片（4）上，形成一个完整的LED封装；

④、然后在所述金属散热器（2）的可焊接金属第三基面（21）上，涂覆低温焊锡膏，其熔化温度180℃～249℃，然后将所述LED封装中的绝缘导热板（1）的可焊接金属第二基面（12）与所述低温焊锡膏紧密接触，将他们共同加热到低温焊锡膏的熔化温度，使所述绝缘导热板（1）与所述金属散热器（2）焊接成一体。

2.根据权利要求1所述的LED高导热绝缘基座封装的方法，其特征在于：

步骤①所述的绝缘导热板（1），用高导热陶瓷制作，所述高导热陶瓷包括导热系数高于30的氧化铝、氮化铝；

所述可焊接金属第一基面（11）、可焊接金属第二基面（12）、可焊接金属第三基面（21）的金属材料包括金、银、铜、镍；

所述金属散热器（2）的材料包括铝合金、钢、铜、高导热陶瓷。

3.根据权利要求1所述的LED高导热绝缘基座封装的方法，其特征在于：

所述绝缘导热板（1）之上制备一只以上的LED灯芯片（4）。

4.根据权利要求1所述的LED高导热绝缘基座封装的方法，其特征在于：

LED灯芯片（4）与可焊接金属第一基面（11）之间用高热银胶粘接的方式实现连接。

5.一种LED高导热绝缘基座封装的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

①、制备一块绝缘导热板（1），在所述绝缘导热板（1）的上表面，在预先设计的预设位置，采用镀或烧结工艺制作一层可焊接金属第一基面（11）；在所述绝缘导热板（1）的下表面，采用镀或烧结工艺制作一层可焊接金属第二基面（12）；

所述可焊接金属第一基面（11）与可焊接金属第二基面（12）之间彼此绝缘；

②、制备一金属散热器（2），在所述金属散热器（2）的顶面制作一层可焊接金属第三基面（21），该基面能够进行锡焊或金属连接；

③、然后在金属散热器（2）的可焊接金属第三基面（21）上涂覆高温锡膏，其熔点≥250℃，再将绝缘导热板（1）的可焊接金属第二基面（12）放在高温锡膏上，紧密接触，一同加热到高于250℃，将他们焊接在一起；

④、然后在绝缘导热板（1）上的可焊接金属第一基面（11）预设位置上涂覆低温锡膏，其熔化温度180℃～249℃,然后将LED灯芯片（4）的金属面放置在低温锡膏上，然后一同加热到锡膏的熔化温度，将他们焊接在一起，然后再将金丝线焊接在LED灯芯片（4）电极与绝缘导热板（1）上的可焊接金属第一基面（11）上的线路上，或将金丝线焊接在相邻LED灯芯片（4）的电极上形成LED灯的电流通路，最后再在绝缘板的芯片上涂覆荧光粉。