[发明专利]一种多合体功率放大器及其实现方法无效
| 申请号： | 201110110331.7 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102185568A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈化璋;刘建利;崔晓俊 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 吴艳;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合体 功率放大器 及其 实现 方法 | ||
1.一种多合体功率放大器，其特征在于，
多合体（Doherty）功率放大器的峰值放大支路中包括射频开关，该射频开关用于控制所述峰值放大支路中末级峰值功放的导通；
其中，所述功率放大器的载波放大支路的末级载波功放是采用高压异质结双极晶体管（HVHBT）器件，所述功率放大器的峰值放大支路的末级峰值功放是采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件。
2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述射频开关包括：PIN管射频开关、或者单片微波集成电路（MMIC）射频开关。
3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述峰值放大支路中包括多级峰值功放时，所述射频开关位于推动级峰值功放与所述末级峰值功放之间。
4.如权利要求1、2或3所述的功率放大器，其特征在于，
所述射频开关用于，通过以下方式控制所述峰值放大支路中末级峰值功放的导通：
当所述峰值放大支路的输入信号增大至所述射频开关的导通电平时，所述射频开关导通，使所述末级峰值功放导通。
5.如权利要求4所述的功率放大器，其特征在于，
所述射频开关还包括一控制电压端，通过所述控制电压端的控制电压的大小调节所述射频开关的导通电平。
6.一种多合体功率放大器的实现方法，其特征在于，所述方法包括：
通过Doherty功率放大器的峰值放大支路中的射频开关，控制所述峰值放大电路中末级峰值功放的导通；
其中，所述功率放大器的载波放大支路的末级载波功放是采用HVHBT器件，所述功率放大器的峰值放大支路的末级峰值功放是采用LDMOS器件。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述射频开关包括：PIN管射频开关、或者MMIC射频开关。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述峰值放大支路中包括多级峰值功放时，所述射频开关位于推动级峰值功放与所述末级峰值功放之间。
9.如权利要求6、7或8所述的方法，其特征在于，
所述射频开关用于，通过以下方式控制所述峰值放大支路中末级峰值功放的导通：
当所述峰值放大支路的输入信号增大至所述射频开关的导通电平时，所述射频开关导通，使所述末级峰值功放导通。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
通过所述射频开关上的控制电压端的控制电压的大小调节所述射频开关的导通电平。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司，未经中兴通讯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110110331.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型USB插头及与其相匹配的插座
- 下一篇：薄片内芯嵌入式四口网络接口
