[发明专利]阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括像素区域和驱动电路区域；位于所述驱动电路区域内的衬底基板上形成有公共电极驱动接口图案、以及与所述公共电极驱动接口图案连接的栅线驱动接口图案和数据线驱动接口图案；其特征在于：

所述公共电极驱动接口图案上形成有狭缝，且被所述狭缝隔开的公共电极驱动接口图案的各个部分彼此连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述狭缝均匀分布于所述公共电极驱动接口图案上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述狭缝的形状为矩形、圆形、椭圆形或多边形。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于：所述驱动电路区域与所述像素区域之间的距离等于或大于3mm。

5.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次沉积透明公共电极薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括透明公共电极、栅线、栅电极、公共电极驱动接口图案和栅线驱动接口图案的图案；所述公共电极驱动接口图案上形成有狭缝，且被所述狭缝隔开的公共电极驱动接口图案的各个部分彼此连接；

在形成上述图案的衬底基板上依次沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、有源层、数据线、数据线驱动接口图案、源电极和漏电极的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积钝化层薄膜，通过构图工艺形成包括钝化层和钝化层过孔的图案；

在形成上述图案的衬底基板上沉积像素电极薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案；所述像素电极通过钝化层过孔与所述漏电极连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过构图工艺形成包括透明公共电极、栅线、栅电极、公共电极驱动接口图案和栅线驱动接口图案的图案包括：

在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

使用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括完全透光区、部分透光区和完全不透光区的光刻胶图案；

进行第一次刻蚀，刻蚀掉所述完全透光区对应的栅金属薄膜和透明公共电极薄膜，形成包括所述栅线、栅电极、公共电极驱动接口图案和栅线驱动接口图案的图案；

根据所述部分透光区的光刻胶厚度灰化去除光刻胶；

进行第二次刻蚀，刻蚀掉部分透光区对应的栅金属薄膜，形成包括所述透明公共电极的图案；

去除完全不透光区的光刻胶。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述狭缝均匀分布于所述公共电极驱动接口图案上。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述狭缝的形状为矩形、圆形、椭圆形或多边形。

10.根据权利要求6-9任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述公共电极驱动接口图案、所述栅线驱动接口图案和所述数据线驱动接口图案构成驱动电路区域；所述栅线、所述数据线以及被所述栅线和所述数据线围设的所述有源层、所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述像素电极、所述钝化层和所述钝化层过孔构成像素区域；所述驱动电路区域与所述像素区域之间的距离等于或大于3mm。