[发明专利]真空处理装置和真空处理装置的运行方法无效
申请号: | 201110093201.7 | 申请日: | 2008-03-26 |
公开(公告)号: | CN102157420A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 山口博史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 处理 装置 运行 方法 | ||
1.一种真空处理装置,其特征在于,包括:
多个处理容器,其各自形成有基板的搬送口,并在真空气氛下利用处理气体对基板进行处理;
保持真空气氛的共同的搬送室,该搬送室通过闸室与这些多个处理容器的所述搬送口连接,并包括通过各搬送口对处理容器进行基板的交接的搬送机构;
闸阀,其设置于所述闸室,用于当在所述处理容器内对基板进行处理时关闭所述搬送口,当对处理容器进行基板的交接时打开该搬送口:
设置在所述搬送室内的残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和设置于所述闸室的闸室排气口,它们用于在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流,以抑制所述处理容器内的残留气体向所述搬送室扩散;
搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部,其设置于所述搬送室,用于在该搬送室内形成惰性气体的气流;和
搬送室排气用的搬送室排气口,其设置于所述搬送室,当在所述闸室内形成惰性气体的气流时被关闭,
在所述闸阀被关闭时,所述闸室的闸室排气口被关闭。
2.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
在各搬送口的每个设置有所述残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部。
3.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部被共用。
4.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述第一搬送室惰性气体供给部由一端被堵塞的横长的圆筒体构成,是在内部形成有流路的气体喷嘴,所述气体喷嘴的周围侧壁由具有多孔结构的烧结体构成。
5.如权利要求4所述的真空处理装置,其特征在于:
在所述气体喷嘴的周围侧壁的表面上设置有罩,在所述罩上沿所述气体喷嘴的横方向形成有切口。
6.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
用于开闭所述基板搬送口的第一闸阀和用于开闭所述闸室排气口的第二闸阀被分别构成为不同的闸阀,
所述第一闸阀和所述第二闸阀分别通过第一支撑部和第二支撑部与第一驱动部和第二驱动部连接,
所述第一驱动部和所述第二驱动部使所述第一闸阀和所述第二闸阀分别独立地沿上下方向滑动。
7.如权利要求1所述的真空处理装置,其特征在于:
所述闸阀对所述基板搬送口和所述闸室排气口双方进行开闭。
8.如权利要求7所述的真空处理装置,其特征在于:
所述闸阀在朝向所述处理容器的一侧形成有台阶部,所述台阶部的下侧作为所述闸室排气口的开闭阀发挥作用。
9.如权利要求7所述的真空处理装置,其特征在于:
所述闸阀在其厚度方向上形成有与所述闸室排气口对应的开口部,在通过所述闸阀使得处理容器的基板搬送口和所述闸室排气口被密封时,所述开口部以位于包围所述基板搬送口的O形环的下端和包围所述闸室排气口的0形环的上端之间的高度的方式被形成,在晶片被搬送时,所述开口部与所述闸室排气口重叠。
10.一种真空处理装置的运行方法,该真空处理装置包括:具有基板的搬送口的处理容器和保持真空气氛的搬送室,该搬送室通过闸室与所述搬送口连接并包括通过所述搬送口对所述处理容器进行基板的交接的搬送机构,该真空处理装置的运行方法的特征在于,包括:
在通过设置在所述闸室的闸阀关闭所述搬送口的状态下,在所述处理容器内在真空气氛下利用处理气体对基板进行处理的工序;和
通过所述闸阀打开所述搬送口,利用所述搬送机构从处理容器搬出基板的工序,
至少在所述搬送口打开期间,通过设置在所述搬送室的残留气体扩散防止用的第一搬送室惰性气体供给部和设置在所述闸室的闸室排气口在面对该搬送口的位置形成惰性气体的气流,以抑制处理容器内的残留气体向所述搬送室扩散,并且通过设置在所述搬送室的搬送室气流形成用的第二搬送室惰性气体供给部,在该搬送室内形成惰性气体的气流,当在所述闸室内形成惰性气体的气流时,关闭设置在所述搬送室的搬送室排气用的排气口,
当闸阀被关闭时,关闭设置在所述闸室的闸室排气口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造