[发明专利]基于电子束激励脱附的纳电子器件和/或电路的制作方法有效
| 申请号： | 201110092302.2 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102249175A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 陈学康;王兰喜;郭磊;吴敢;杨建平;曹生珠;王瑞;尚凯文;王晓毅;韦波 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 马英 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电子束 激励 电子器件 电路 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于电子束激励脱附的纳电子器件和/或电路的制作方法，其特征在于：
（1）使用电子束激励脱附原理对化学吸附石墨烯的吸附原子进行选区脱附，按设计意图形成脱附图案，在此基础上实现纳电子器件和/或电路；
（2）利用脱附/未脱附区域边界不存在侧向物理表面的特点，形成基于选区脱附原理的没有表面电荷复合和电荷俘获的侧向限制势垒；
其具体步骤为：
（1）制备悬空石墨烯薄膜或石墨烯/低散射的基底样品；
（2）对（1）中所述的石墨烯进行化学吸附；
（3）对（2）中所述的化学吸附石墨烯表面按设计好的纳电子器件和/或电路的图案进行电子束扫描，调整电子束流强度和扫描次数使扫描区域的吸附原子完全脱附并还原到石墨烯的原始状态，形成纳电子器件和/或电路。
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