[发明专利]一种封装图案的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种封装图案的形成方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性的方向发展。集成电路封装即在超大规模集成电路的输入端和输出端的引脚上长凸点，其不仅直接影响着集成电路、电子模板乃至整机的性能，而且制约整个电子系统的小型化、低成本和可靠性，包括：溅镀金属工艺、光刻工艺、凸点工艺、蚀刻工艺和检验工艺等。

光刻工艺在半导体集成电路制造工艺中有着举足轻重的地位。在进行离子注入或刻蚀之前，需要通过光刻工艺形成光刻图形，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域。现有技术中常用的光刻工艺为：在衬底上涂布一层光刻胶，然后紫外线曝光、显影，以预先定义出待刻蚀或离子注入的区域；最后进行二次紫外线曝光处理、烘箱烘烤和等离子体处理，形成光阻图案。

现有技术中，申请号为01145768.6的中国专利文献报道了一种衬底处理装置和处理方法，该处理方法包括以下步骤：在被处理的衬底上形成光刻胶膜；在腔室内加热形成有上述光刻胶膜的被处理衬底，由隔壁部件将上述腔室分割成第一和第二空间，并将上述被处理衬底置于上述第一空间内，上述隔壁部件具有连通上述第一和第二空间的多个孔；在上述加热步骤期间，通过上述隔壁部件上的多个孔，使由上述被处理衬底产生的蒸发物流入上述第二空间内，随着气流从上述第二空间排出；向上述光刻胶膜照射能量射线，形成具有潜象图形的曝光区；以及将上述光刻胶膜置于显影液中，选择性地除去上述光刻胶膜的一部分，在上述被处理衬底上形成所需要的图形，得到封装图案。

但是，上述方法得到的封装图案黏性较大，封装图案下层分子与基板分子附着力较小，且封装图案与基板间存在缝隙，如图1所示，易导致后续过程中制备的凸点发生互联。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种封装图案的形成方法，该方法形成的封装图案附着力较大，避免了封装图案与基板间缝隙的产生。

本发明提供一种封装图案的形成方法，包括：

a)提供衬底；

b)在所述衬底上旋涂光刻胶的有机溶液，烘干，得到光刻胶膜；

c)预设曝光形状，对所述光刻胶膜进行紫外曝光，得到多个预制体；

d)将步骤c)得到的多个预制体进行烘烤处理；

e)将步骤d)得到的产物进行紫外曝光、烘烤处理和等离子处理。

优选的，所述步骤b)具体为：

在所述衬底上以5～45r/s的速度旋涂光刻胶的有机溶液，在90～150℃下烘烤2～8分钟，得到光刻胶膜。

优选的，所述步骤c)中曝光时间为40～120秒，曝光能量为270～450mj/cm²。

优选的，所述步骤d)中烘烤温度为50～200℃。

优选的，所述步骤d)中烘烤温度为150～190℃。

优选的，所述步骤d)中烘烤时间为60～600秒。

优选的，所述步骤d)中烘烤时间为120～360秒。

优选的，所述步骤e)中紫外曝光能量为600～900mj/cm²。

优选的，所述步骤e)中烘烤处理具体为：

将紫外曝光得到的产物在120～150℃下烘烤20～30分钟。

优选的，所述步骤e)中等离子体处理具体为：

利用氧气的等离子体对所述烘烤处理后的产物轰击0.5～2分钟。

本发明提供了一种封装图案形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上旋涂光刻胶的有机溶液，烘干，得到光刻胶膜；预设曝光形状，对所述光刻胶膜进行紫外曝光，得到多个预制体；将所述多个预制体进行烘烤处理；将上述得到的产物进行紫外曝光，烘烤处理和等离子体处理。与现有技术相比，本发明通过对预制体进行烘烤处理，使光刻胶中水分挥发，降低了光刻胶的黏度，使光刻胶分子间及光刻胶分子与衬底间作用力增强，形成的封装图案附着力较大，从而使封装图案与衬底之间紧密接触，避免了封装图案与基板间缝隙的产生，从而避免了后续过程中制备的凸点发生互联。实验结果表明，本发明形成的封装图案的附着力为6.54g/mil²。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术形成的封装图案示意图；