[发明专利]超级结半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110092102.7 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102412296A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种超级结半导体器件结构，包括：N型衬底，从该N型衬底背面引出的漏极，所述N型衬底上方分为元胞区域与终端区域；所述元胞区域中，所述N型衬底上端设有N-外延层，在该N-外延层中具有多个沟槽，所述沟槽内填充有P型外延层；其特征是：
在所述终端区域中，所述N型衬底上端具有一绝缘氧化层，该绝缘氧化层上端具有第二N型衬底，该第二N型衬底上端具有N-外延层，该N-外延层中具有多个沟槽。
2.如权利要求1所述的器件结构，其特征是：所述沟槽数量与绝缘氧化层的厚度呈反比。
3.如权利要求1所述的结器件结构，其特征是：所述终端区域中沟槽的宽度与元胞区域中沟槽的宽度一致。
4.如权利要求1所述的结器件结构，其特征是：所述终端区域中沟槽的间距与元胞区域中沟槽的间距一致。
5.一种如权利要求1所述器件结构的制作方法，其特征是，包括以下步骤：
步骤一、在N型衬底中注入氧原子，形成绝缘氧化层；
步骤二、进行刻蚀，使刻蚀后绝缘氧化层只存在于所述器件的终端区域，使元胞区域内的绝缘氧化层及其上方的N型衬底去除；
步骤三、在所述N型衬底上淀积一层N-外延层；
步骤四、刻蚀所述N-外延层，形成多个沟槽，在沟槽内形成P型外延层。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤四时，使刻蚀的沟槽的数量与绝缘氧化层的厚度呈反比。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤四时，使终端区域中沟槽的宽度与元胞区域中沟槽的宽度一致。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤四时，使终端区域中沟槽的间距与元胞区域中沟槽的间距一致。
9.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤四时，使终端区域中沟槽刻蚀到绝缘氧化层的表面。
10.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤四时，使元胞区域中沟槽的深度超过所述绝缘氧化层的表面，且不超过绝缘氧化层的底面。
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