[发明专利]参考电流的调整方法、装置和非易失存储器芯片

说明书

技术领域

本发明涉及非易失存储器技术领域，特别是涉及应用于非易失存储器的一种参考电流的调整方法、装置和一种非易失存储器芯片。

背景技术

为了验证非易失存储器产品的正确性，在产品出厂前均会进行一连串的测试流程。这些非易失存储器产品可以包括快闪存储器Flash，电可擦可编程只读存储器EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)等。

实际中，在进行逻辑功能测试、电擦除特性测试和程序码测试之前，需要首先对待测试非易失存储器芯片的参考电流进行精确调整。

以SLC(单比特存储单元，Single Layer Cell)Flash memory为例，简单介绍其读出原理：对存储单元与参考单元施加相同的栅极端、漏极端电压，比较它们的漏极端电流，如果存储单元电流比参考单元的电流(以下称参考电流)大，则定义为存“1”，反之，定义为存“0”。即对存储单元存“1”和存“0”的界定，就是看存储单元电流比参考电流大还是小。因此，参考电流是存储数据的判定点，是整个Flash memory读出系统的基础，需要在测试之前进行比较精确地调整。

参考电流调整指的是对参考单元进行编程(Program)，使其参考电流满足系统性能评估测试的要求。

现有参考电流的调整方法通常针对需要的每一个参考电流进行手动调整。假设非易失存储器芯片中需要Nct组参考电流，每一组中有Mct个参考电流，每一个参考电流的手动调整时间为Tct，采用现有参考电流的调整方法，则在测试过程中参考电流调整所花费的时间为Tct*Nct*Mct，其中，Tct为正数，Nct、Mct为正整数。

在非易失存储器芯片内部参考单元的数目(例如，64，128)比较多时，Nct的数值是非常大的，因此，现有参考电流的调整方法会占用大量的测试时间，造成测试时间大大加长，测试成本激增。

总之，需要本领域技术人员迫切解决的一个技术问题就是：如何能够降低非易失存储器芯片的测试时间，尤其是降低参考电流的调整时间。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种参考电流的调整方法和装置，能够大大缩短调整参考电流的时间，降低测试成本。

相应的，本发明还提供了针对一种非易失存储器芯片，用以保障上述参考电流的调整方法和装置在实际中的应用。

为了解决上述问题，本发明公开了一种参考电流的调整装置，包括：

手动调整模块，用于对一参考电流组进行手动调整，得到基准参考电流；及

自动调整模块，用于依据所述基准参考电流，对除这一参考电流组之外的其余参考电流组进行自动调整，得到与所述基准参考电流相同的调整结果。

优选的，所述自动调整模块，包括：

自动编程单元，用于对其余组中的当前组参考单元执行自动编程操作，得到当前组参考电流；及

比较单元，用于将当前组参考电流与基准参考电流进行比较，若相同，则当前组参考电流调整完毕，否则，通知所述自动编程单元，对当前参考单元继续执行自动编程操作。

优选的，所述比较单元为电流比较器，包括：

第一输入端，其接收来自所述手动调整模块的基准参考电流；

第二输入端，其接收来自所述自动编程单元的当前组参考电流；

比较电路，用于将当前组参考电流与基准参考电流进行比较，得到比较结果；及

输出端，其向所述自动编程单元输出与所述比较结果相应的信号，其中，在比较结果为自动编程单元的当前组参考电流小于手动调整模块的基准参考电流时，输出的第一信号表示当前组参考电流调整完毕，反之，输出的第二信号表示对当前参考单元继续执行自动编程操作的通知信号。

优选的，所述参考电流组包括多个参考电流；

所述手动调整模块，具体用于针对第一组中的同一个参考单元，按照从低到高的顺序，依次对所述多个参考电流进行手动调整，得到相应的多个基准参考电流。

另一方面，本发明还公开了一种非易失存储器芯片，包括权利要求1-4任一所述的参考电流的调整装置。

另一方面，本发明还公开了一种参考电流的调整方法，包括：

对一参考电流组进行手动调整，得到基准参考电流；

依据所述基准参考电流，对除这一参考电流组之外的其余参考电流组进行自动调整，得到与所述基准参考电流相同的调整结果。

优选的，所述对除这一参考电流组之外的其余参考电流组进行自动调整的步骤，包括：