[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的膜层；

在所述半导体衬底以及图形化的膜层表面形成刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层表面形成材料层；

刻蚀所述材料层直至暴露出所述刻蚀阻挡层的表面，从而在所述图形化的膜层侧壁形成具有缓变侧壁的缓变坡度材料层；

去除未被所述缓变坡度材料层覆盖的刻蚀阻挡层。

2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为SiO2，所述材料层的材料为CVD-Si。

3.如权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，湿法去除未被所述缓变坡度材料层覆盖的刻蚀阻挡层。

4.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为CVD-Si，所述材料层的材料为SiO2。

5.如权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，干法去除未被所述缓变坡度材料层覆盖的刻蚀阻挡层。

6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有释放保护层，所述图形化的膜层形成于所述释放保护层上。

7.如权利要求6所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述释放保护层的材料为CVD-Si、SiO2或Si₃N₄中的一种或其组合。

8.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述图形化的膜层是图形化的敏感材料层。

9.如权利要求8所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述图形化的敏感材料层利用以下步骤形成：

在所述半导体衬底上形成敏感材料层；

刻蚀所述敏感材料层，以形成图形化的敏感材料层。

10.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述敏感材料层的材料为非晶硅。

11.如权利要求10所述的半导体器件制造方法，其特征在于，利用氯气和溴化氢的混合气体刻蚀所述敏感材料层形成图形化的敏感材料层。

12.如权利要求1至11中任一项所述的半导体器件制造方法，其特征在于，去除未被所述缓变坡度材料层覆盖的刻蚀阻挡层之后，还包括：

在所述半导体衬底、缓变坡度材料层以及图形化的膜层表面形成电极材料；

在所述电极材料表面形成图形化的光刻胶；

以所述图形化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述电极材料以形成电极。

13.一种利用权利要求1所述的半导体器件制造方法形成的半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的图形化的膜层；

形成于所述图形化的膜层侧壁及其底部周边的刻蚀阻挡层；

覆盖所述刻蚀阻挡层的具有缓变侧壁的缓变坡度材料层。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为SiO2，所述材料层的材料为CVD-Si。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为CVD-Si，所述材料层的材料为SiO2。

16.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有释放保护层，所述图形化的膜层形成于所述释放保护层上。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其特征在于，所述释放保护层的材料为CVD-Si、SiO2或Si₃N₄中的一种或其组合。

18.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述图形化的膜层是图形化的敏感材料层。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述图形化的敏感材料层的材料为非晶硅。

20.如权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，还包括形成于所述图形化的膜层顶部以及半导体衬底部分区域上方的电极。