[发明专利]一种超浅结深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置有效
| 申请号： | 201110056560.5 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102169816A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 周卫;严利人;刘朋;窦维治 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 深紫 激光 退火 设备 中的 屏蔽电极 装置 | ||
1.一种深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置，其特征在于，在被加工的圆片上方加一个屏蔽电极，该屏蔽电极位于承载片台和被加工的圆片的上方，与被加工圆片表面平行，电极中心有一个小孔可使深紫外激光透过，电极相对于激光光束静止不动，与被加工圆片的间距在1～10mm的范围，该电极相对于承载片台和被加工的圆片为负电位，所施加的反向偏压为5～100V；可以有效地抑制由于深紫外激光退火所产生电子逃逸的外光电效应，保证器件不会因为采用深紫外激光退火而损伤。
2.根据权利要求1所述深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置，其特征在于，所述的深紫外激光器其波长为193nm～350nm，脉冲激光束的单脉冲能量为200mJ～1.5J，脉宽在10～1000ns，重复频率10～1000Hz。
3.根据权利要求1所述深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置，其特征在于，所述的承载片台是一个可以做二维精确定位与移动的带有加热装置的平台，该平台可以沿X-Y方向做匀速或步进运动，以此来实现激光束对整个圆片的均匀退火，片台对衬底圆片进行加热的温度范围为300～550℃。
4.根据权利要求1所述深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置，其特征在于，所述屏蔽电极的小孔，当深紫外激光退火设备采用小圆形光斑，线扫描的方式对被加工的圆片进行退火时，小孔为一个尺寸略大于激光光斑的圆孔；当深紫外激光退火设备采用线束，通过面扫描的方式对被加工的圆片进行退火时，小孔为一个尺寸略大于激光光斑的矩形狭缝；当深紫外激光退火设备采用场步进的方式对被加工的圆片进行退火时，小孔为一个尺寸略大于激光光斑的矩形孔。
5.根据权利要求1所述深紫外激光退火设备中的屏蔽电极装置，其特征在于，所述被加工圆片是指含有半导体材料的SOI、SGOI或GOI圆片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
