[发明专利]厚绝缘膜的工艺实现方法有效
| 申请号： | 201110049404.6 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655093A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王海军;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 工艺 实现 方法 | ||
1.一种厚绝缘膜的工艺实现方法，包括步骤：
(1)在需要长绝缘介质膜的地方，先刻蚀槽；
(2)在槽内，根据不同的槽宽，进行炉管氧化；
(3)氧化后，成长填孔性较好的绝缘膜；
(4)化学机械研磨，把表面的凸起磨平；
(5)再把有源区的绝缘膜刻蚀掉，只留下厚的场氧绝缘膜。
2.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(1)中，槽的宽度为0.2～1微米，深度为1～20微米，槽的形貌为倒斜状，角度小于或等于89度角。
3.如权利要求2所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述角度为88度角。
4.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(1)中，刻蚀槽的方法包括：
A、在硅片二氧化硅的表面涂覆光刻胶，定义所需要刻蚀的槽；
B、光刻胶曝光后，在硅片外延部分定义所要刻蚀的槽的位置；
C、通过干法等离子体刻蚀，得到所需要的槽。
5.如权利要求4所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述A中的光刻胶的厚度大于0.5微米。
6.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(2)中，氧化的厚度在0.4微米～2微米之间；
氧化的温度为850～1250℃，氧化的时间大于30分钟。
7.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(3)中，以湿氧的方式在炉管里成长填孔性较好的绝缘膜。
8.如权利要求7所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述绝缘膜为炉管成长的比较致密的绝缘膜或亚常压化学气相成膜。
9.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(5)中，绝缘膜刻蚀方法为干法等离子体刻蚀。
10.如权利要求1所述的厚绝缘膜的工艺实现方法，其特征在于：所述步骤(5)中，场氧绝缘膜的厚度大于2微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
