[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效

专利信息
申请号: 201110042251.2 申请日: 2011-02-18
公开(公告)号: CN102163669A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基;文智炯 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/36;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统
【说明书】:

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或者辉光灯的传统的光源相比较,LED在功率消耗、寿命、响应速度、安全、以及环保要求方面是有利的。考虑此,已经进行了各种研究以将传统的光源替换为LED。LED越来越多地被用作用于诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯的照明装置的光源。

发明内容

实施例提供具有新颖结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

实施例提供表现改进的光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

根据实施例,发光器件包括:透射衬底;在透射衬底上的欧姆层;在欧姆层上的发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及在第一和第二半导体层之间的有源层;在透射衬底的底表面上的电极层;以及导电通孔,该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层,其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

根据实施例,发光器件封装包括:封装主体;第一和第二电极,该第一和第二电极被安装在封装主体中;以及发光器件,该发光器件被设置在封装主体上并且电气地连接第一和第二电极。发光器件包括:透射衬底;在透射衬底上的欧姆层;在欧姆层上的发光结构,该发光结构包括第一和第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层以产生光;在透射衬底的底表面上的电极层;以及导电通孔,该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层,其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

根据实施例,照明系统包括发光模块,该发光模块包括基板和被安装在基板上的发光器件。发光器件包括:透射衬底;在透射衬底上的欧姆层;在欧姆层上的发光结构,该发光结构包括第一和第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层以产生光;在透射衬底的底表面上的电极层;以及导电通孔,该导电通孔通过透射衬底电气地连接发光结构和电极层,其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

根据实施例,一种制造发光器件的方法,包括:通过在生长衬底上顺序地形成发光结构、欧姆层、以及第一附着层来形成第一主体;通过在透射衬底上形成接触第一附着层的第二附着层来形成第二主体,并且形成通过透射衬底的孔;通过将彼此相对地将第一附着层和第二附着层结合来结合第一主体和第二主体,去除生长衬底,并且通过使用导电材料填充孔形成导电通孔;以及在透射衬底的底表面上形成电极层,其中透射衬底的面积从下部朝着其上部增加。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图;

图2至图8是示出根据第一实施例的制造发光器件的方法的截面图;

图9是示出根据第二实施例的发光器件的截面图;

图10是示出根据第三实施例的发光器件的截面图;

图11是示出根据第四实施例的发光器件的截面图;

图12是示出根据第五实施例的发光器件的截面图;

图13是示出根据第六实施例的发光器件的截面图;

图14是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图;

图15是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的视图;以及

图16是示出根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的视图。

具体实施方式

在实施例的描述中,将会理解的是,当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案“上”或“下”时,它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上,或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

为了方便或清楚起见,附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外,元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

在下文中,将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。

参考图1,发光器件100包括透射衬底110;在透射衬底110上的欧姆层157;发光结构145,该发光结构145形成在欧姆层157上以产生光;电极层132,该电极层132形成在透射衬底110的底表面上;以及导电通孔131,该导电通孔131通过透射衬底100电气地连接发光结构145和电极层132。

发光结构145可以包括多个化合物半导体层。例如,发光结构145可以包括第一导电半导体层130、在第一导电半导体层130下面的有源层140、以及在有源层140下面的第二导电半导体层150。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110042251.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top