[发明专利]一种多层纳米线的制备方法有效
申请号: | 201110037016.6 | 申请日: | 2011-02-12 |
公开(公告)号: | CN102637765A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 蔡克峰;李晓龙;邹志刚 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L35/34;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多层 纳米 制备 方法 | ||
1.一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)配料:将铋的无机盐、二氧化硒、二氧化碲及硝酸按比例加入盛有去离子水的烧杯中,搅拌使其充分溶解得到混合溶液;
(2)电化学沉积:在室温下,对步骤(1)得到的混合溶液进行循环伏安测试,通过脉冲电位沉积将多层纳米线沉积到氧化铝模板上;
(3)洗涤:利用去离子水冲洗沉积了多层纳米线的氧化铝模板,然后自然晾干;
(4)热处理:将沉积多层纳米线的氧化铝模板放入石英管式炉,在氩气保护下300℃保温3小时,然后自然降温至室温;
(5)模板溶解:把经过热处理的氧化铝模板放入5M的氢氧化钠碱液中,放置8小时,洗涤后离心分离出多层纳米线即可。
2.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的铋的无机盐选自硝酸铋、氯化铋或醋酸铋。
3.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的配料具体包括以下步骤:
(1)利用去离子水溶解二氧化硒,控制溶液中二氧化硒的浓度为0.055-0.06M;
(2)将硝酸与去离子水按体积比为1∶4混合得到混合溶剂,利用该混合溶剂溶解铋的无机盐,控制溶液中铋的无机盐的浓度为0.03-0.3M;
(3)利用硝酸与去离子水按体积比为1∶1混合得到的硝酸溶液溶解二氧化碲,控制溶液中二氧化碲的浓度为0.03-0.25M;
(4)将上述步骤制备得到的澄清溶液与硝酸按体积比为1∶1∶1∶0.5混合并持续搅拌至溶液变为澄清,即得到混合溶液。
4.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的脉冲电位沉积采用具有脉冲电位功能的电化学分析仪或电化学工作站。
5.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的脉冲电位沉积以饱和甘汞电极作为参比电极,纳米多孔氧化铝/金(AAO/Au)的复合电极为工作电极。
6.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(5)中所述的洗涤采用冷或热的去离子水对沉积了多层纳米线的氧化铝模板洗涤后采用离心机沉淀,得到的产物再在去离子水中洗涤分散,重复处理直到沉淀出的滤液的pH值为7为止,再用无水乙醇洗涤一次。
7.根据权利要求1所述的一种多层纳米线的制备方法,其特征在于,步骤(5)中所述的离心分离采用的离心机的转速为3500-4000rpm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的