[发明专利]一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法

权利要求书

1.根据权利要求1所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)将浓度为0.01～0.05mol/L的四硫代钼酸铵溶液加入反应器，滴加酸液，其中四硫代钼酸铵和酸的摩尔比为1∶0.8～1.5，搅拌、反应、熟化，然后分离固液两相，清洗固体，得到单分散MoS₃颗粒；

2)将步骤1)中得到的MoS₃颗粒在惰性气体的保护下，加热，再通入还原气体反应，冷却得到单分散球形MoS₂超细粉体。

2.根据权利要求1所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中加入表面活性剂，所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十六烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵、聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙二醇，加入的表面活性剂与四硫代钼酸铵的物质的量比为0.02～0.1∶1。

3.根据权利要求1所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中酸液为硫酸、硝酸、盐酸或草酸中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中酸液滴加速率为0.4L/h，搅拌速率为350rpm，反应温度为0～100℃，熟化时间为5～240min。

5.根据权利要求4所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤1)反应温度为20～60℃，

6.根据权利要求1所述单分散球形MoS₂超细粉体的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所述惰性气体为氮气，通气时间为30min，在惰性气体保护下加热至500～800℃，通入还原性气体，所述还原性气体为氢气，通气速率为0.2L/min，进行还原反应，反应时间为5h。