[发明专利]OTP器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110029887.3 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102122642A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 孙凌 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/3115;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | otp 器件 形成 方法 | ||
1.一种OTP器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上并列形成有选择栅和浮栅；
形成介质层，覆盖所述选择栅、浮栅和半导体基底的表面；
在所述介质层的表面引入氮元素；
在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述浮栅上方的介质层；
以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述介质层进行刻蚀，暴露出所述选择栅和半导体基底的表面。
2.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述在所述介质层的表面引入氮元素包括：使用含氮元素的等离子气体对所述介质层的表面进行等离子体处理。
3.根据权利要求2所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述含氮元素的等离子气体为NH3或N2O的等离子体。
4.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。
5.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述介质层进行刻蚀包括：
以所述图形化的光刻胶为掩膜，使用干法刻蚀对所述介质层进行刻蚀，至暴露出所述选择栅；
以所述图形化的光刻胶为掩膜，使用湿法刻蚀去除所述半导体基底表面上剩余的介质层。
6.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述在所述介质层的表面形成图形化的光刻胶包括：
在所述介质层的表面形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行图形化，形成所述图形化的光刻胶。
7.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，所述选择栅和浮栅的材料为多晶硅。
8.根据权利要求1所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述图形化的光刻胶。
9.根据权利要求8所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，使用灰化法去除所述图形化的光刻胶。
10.根据权利要求8所述的OTP器件的形成方法，其特征在于，在去除所述图形化的光刻胶之后还包括：在所述选择栅的表面形成金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
