[发明专利]电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法无效
| 申请号: | 201110020586.4 | 申请日: | 2011-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN102134733A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
| 发明(设计)人: | 刘润;陈科立;徐铸德;王辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;C25D7/12 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
| 地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 沉积 磷酸 银光 催化 半导体 薄膜 电化学 制备 方法 | ||
1.一种电沉积磷酸银光催化半导体薄膜的电化学制备方法,其特征在于:它的步骤如下:
(1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片,再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗,接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化,最后用去离子水反复冲洗;
(2)将0.002-2mol/L的硝酸银溶于蒸馏水,加入0.1-2mol/L的氨水溶液,加入0.002-2mol/L的磷酸钠,充分搅拌;用2mol/L的硝酸溶液和1mol/L的氨水溶液调节溶液pH至7-13,最后得到澄清稳定的电解液;
(3)ITO导电玻璃或硅片作为工作电极,铂片电极作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积,相对于饱和甘汞电极的电沉积电位为1.0-2.5V,沉积时间为5分钟-120分钟,沉积温度25-90℃,得到磷酸银光催化半导体薄膜。
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