[发明专利]存储器测试模式信号产生电路及方法有效

专利信息
申请号: 201110009113.4 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN102129887A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 杨光军 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 存储器 测试 模式 信号 产生 电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及存储器测试领域,具体地说,本发明涉及一种存储器测试模式信号产生电路以及相应的存储器测试模式信号产生方法。

背景技术

在很多情况下,会需要对存储器(例如闪存)进行各种测试。而在对存储器进行测试的过程中,存储器内部可能存在多种测试模式(例如存储单元电流测试模式等);因此,需要利用存储器测试模式信号来在多种测试模式之中选择一个测试模式,并且将所选择的测试模式告知存储器的各个存储模块。

并且,在不同情况下,可能会要求对存储器的不同部分(不同存储模块、不同存储分区等)进行测试,因此也需要区分确定被选择进行测试的具体存储区域。

现有技术一般采用对各个存储区域(存储模块)分别发送测试模式信号的方法。如图1所示,其中示出了示出了根据现有技术的存储器测试模式信号产生电路的示意图。如图1所示,存储器的存储区域包括多个存储模块:模块1、模块2...模块n。在进行测试时,测试模式信号模块向模块1、模块2...模块n分别发送相应的测试模式信号TM1、TM2...TMn。

可以看出,在现有技术中,在存储器内部会存在很多全局布局的信号,这严重地影响了芯片的面积,并且使得芯片设计变得复杂。

因此,希望提出一种能够使测试模式信号的产生和传递变得简单的技术方案。

发明内容

因此,为了解决如何使测试模式信号的产生和传递变得简单这一技术问题,本发明提出了一种存储器测试模式信号产生电路以及相应的存储器测试模式信号产生方法。

根据本发明的第一方面,提供了一种存储器测试模式信号产生电路,其特征在于,所述存储器测试模式信号产生电路包括:多个存储模块,用于存储数据;主电路,用于产生时钟信号以及模式代码信号;以及与所述多个存储模块相对应的多个从电路,所述多个从电路分别与各自的存储模块相连,其中所述多个从电路依次级联,所述主电路将时钟信号以及模式代码信号提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生电路中,所述从电路包括移位寄存器。

在上述存储器测试模式信号产生电路中,所述主电路将时钟信号以及模式代码信号串行地提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生电路中,所述主电路还产生输出判断信号,并将输出判断信号提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生电路中,所述多个从电路将控制信号作为模式测试信号发送给各自的存储模块。

根据本发明的第二方面,提供了一种存储器测试模式信号产生方法,其特征在于,所述存储器测试模式信号产生方法包括步骤:利用主电路产生时钟信号以及模式代码信号;提供与存储器的多个存储模块相对应的多个从电路,所述多个从电路分别与各自的存储模块相连,其中所述多个从电路依次级联,所述主电路将时钟信号以及模式代码信号提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生方法中,所述从电路包括移位寄存器。

在上述存储器测试模式信号产生方法中,述主电路将时钟信号以及模式代码信号串行地提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生方法中,所述存储器测试模式信号产生方法还包括步骤:利用所述主电路产生输出判断信号,并将输出判断信号提供给从电路。

在上述存储器测试模式信号产生方法中,所述存储器测试模式信号产生方法还包括步骤:利用所述多个从电路将控制信号作为模式测试信号发送给各自的存储模块。

根据本发明的存储器测试模式信号产生电路以及存储器测试模式信号产生方法能够使测试模式信号的产生和传递变得简单。

附图说明

结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:

图1示出了根据现有技术的存储器测试模式信号产生电路的示意图。

图2示出了根据本发明实施例的存储器测试模式信号产生电路的示意图。

需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图2示出了根据本发明实施例的存储器测试模式信号产生电路的示意图。如图2所示,存储器的存储区域包括用于存储数据的多个存储模块:模块1、模块2...模块n。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110009113.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top