[发明专利]抗反射硬掩模组合物以及使用其制备图案化材料的方法

权利要求书

1.抗反射硬掩模组合物，其包含具有Si-O聚合物主链以及结合进所述Si-O聚合物主链的非硅无机组成部分的聚合物。

2.权利要求1所述的组合物，其中所述Si-O聚合物主链包含发色团组成部分以及透明组成部分，以及所述组合物包括交联组分，在所述Si-O聚合物主链之上，或者外部，或者既在外部又在所述聚合物主链之上提供该交联组分。

3.权利要求2所述的组合物，还包含酸产生剂，附加交联组分，或者其组合。

4.抗反射硬掩模组合物，包含聚合物，该聚合物具有选自以下的重复结构单元：

其中x至少是1;y至少是1;R是有机官能单元，其选自一个或多个发色团组成部分、透明组成部分、以及交联组分。

5.权利要求2所述的组合物，其中所述聚合物还包含酸产生剂。

6.权利要求5所述的组合物，其中所述聚合物还包含附加交联组分。

7.权利要求4所述的组合物，其中所述无机单元是

其中x以及y具有以上给出的含义;M_a选自Sc，Y，La，B，Al，Ga，In以及镧系稀土金属;M_b选自Ti，Zr，Hf，Ge或者Sn;M_c是V，Nb，Ta，P以及其中M'是V或者P;M_d选自Ti，Zr，Hf，Sc，Y，La，V，Nb，Ta以及镧系稀土金属;M_e选自Ge或者Sin;R¹是相同或者不同的以及选自C₁-C₆烷基，C₁-C₆烷氧基，苯基以及苯氧基;R²是相同或者不同的以及选自C₁-C₆烷基以及C₁-C₆烷氧基;以及R³是相同或者不同的以及选自C₁-C₆烷基以及苯基。

8.权利要求6所述的组合物，其中所述附加交联组分选自甘脲，甲氧基化甘脲，丁基化甘脲，四甲氧基甲基甘脲，甲基丙基四甲氧基甲基甘脲，2,6-双(羟甲基)-对-甲酚，醚化氨基树脂，甲基化蜜胺树脂，N-甲氧基甲基蜜胺，丁基化蜜胺树脂，N-丁氧基甲基蜜胺，双环氧基物质，双酚，双酚A，及其混合物。

9.权利要求6所述的组合物，其中所述附加交联组分存在的浓度，基于固体，为约1wt.%-约20wt.%。

10.权利要求5所述的组合物，其中所述酸产生剂选自2,4,4,6-四溴环己二烯酮，苯偶姻甲苯磺酸酯，2-硝基苄基甲苯磺酸酯，有机磺酸的烷基或者全氟烷基酯，及其混合物。

11.权利要求5所述的组合物，其中所述酸产生剂存在的浓度，基于固体，为约1wt.%-约20wt.%。

12.权利要求3所述的组合物，其包含基于固体为约5wt.%-约20wt.%的有机溶剂。

13.权利要求3所述的组合物，其中所述组合物为厚度约30纳米-约500纳米的层。

14.权利要求3所述的组合物，其中所述聚合物的重均分子量为至少约500。

15.权利要求14所述的组合物，其中所述重均分子量范围为约1,000-约10,000。

16.在衬底上形成图案化材料的方法，包括如下步骤：

(a)在衬底上提供材料层;

(b)在所述材料层上形成抗反射硬掩模组合物;

(c)在所述抗反射硬掩模组合物上方形成辐射-敏感的成像层;

(d)使所述成像层对辐射进行图案形成曝光由此在所述成像层中产生辐射-曝光区域的图案；

(e)有选择地除去所述成像层和所述下面的抗反射硬掩模组合物的一部分以使所述材料层的一部分曝露;以及

(f)蚀刻所述材料层的所述曝露部分由此形成图案化材料构造。

17.权利要求16所述的方法，其中所述材料层是导电材料，半导体材料，磁性材料，绝缘材料，金属，电介质材料，或者其组合。