[发明专利]使用氧化物衬垫的可流动电介质无效
| 申请号： | 201080063586.6 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102754193A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 梁璟梅;N·K·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 氧化物 衬垫 流动 电介质 | ||
1.一种在基板上形成可流动介电层的方法，所述方法包含以下步骤：
通过将所述基板暴露至含硅衬垫前驱物及含氧衬垫前驱物，以在所述基板上形成大体上共形的氧化硅衬垫层，其中所述基板维持在衬垫沉积温度；以及
在所述基板上形成不含碳的可流动含硅-氮及氢的层，其中所述基板维持在整体沉积温度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述不含碳的可流动含硅-氮及氢的层的步骤包含以下步骤：
使含氮及氢的气体流至等离子体区域中，以产生氮自由基前驱物；
在无等离子体基板处理区域中将不含碳的含硅前驱物与所述氮自由基前驱物相结合；以及
在所述基板上沉积含硅及氮的层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氮及氢的气体包含氨(NH3)。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述含氮及氢的气体包含下列至少之一：氮(N2)、氢(H2)、联氨(N2H4)及氨(NH3)。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述大体上共形的氧化硅衬垫的厚度小于或约为100埃。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述不含碳的含硅前驱物包含N(SiH3)3。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不含碳的可流动含硅-氮及氢的层包含不含碳的Si-N-H层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述整体沉积温度低于所述衬垫沉积温度。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述整体沉积温度小于120℃。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬垫沉积温度大于400℃。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包含以下步骤：固化步骤，用于在含臭氧的大气中将所述基板的温度维持在低于或约为400℃。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于还包含以下步骤：后固化步骤，用于在含氧的大气中将所述基板的温度提升至高于或约为600℃的氧退火温度，其中所述含氧的大气包含一个或多个选自以下所构成的群组的气体：氧原子、臭氧、及水蒸气（H2O）。
13.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体区域位于远程等离子体系统中。
14.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体区域为所述基板处理腔室的隔间部分，所述隔间部分通过喷头从所述无等离子体基板处理区域分隔出。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧衬垫前驱物包含臭氧。
16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧衬垫前驱物包含氧(O2)。
17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅衬垫前驱物包含TEOS。
18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积含硅及氮的层的操作包含以下步骤：沉积旋涂介电(SOD)层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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