[发明专利]结晶性硅化钴膜的形成方法

权利要求书

1. 结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子，

式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。

2. 权利要求1中记载的方法，其中，上述结晶性硅化钴为硅化钴的单晶。

3. 权利要求1中记载的方法，其中，上述由硅构成的表面为硅基板的表面。

4. 权利要求1～3的任一项中记载的方法，其中，上述由硅构成的表面在其部分区域上具有硅氧化物的薄膜，形成的结晶性硅化钴膜为图案状的结晶性硅化钴膜。

5. 由第一层和第二层构成的双层膜的形成方法，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子，该形成方法的特征在于经过下述步骤：

在由硅构成的表面上涂布将上述式(1A)或(1B)所示的化合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热。

6. 权利要求5中记载的方法，其中，上述由结晶性硅化钴构成的第一层为由硅化钴的单晶构成的层。

7. 权利要求5中记载的方法，其中，上述由硅构成的表面为硅基板的表面。

8. 权利要求5～7的任一项中记载的方法，其中，上述由硅构成的表面在其部分区域上具有硅氧化物的薄膜，形成的双层膜为图案状的双层膜。

9. 由第一层和第二层构成的双层膜，其中，该第一层由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子，该双层膜的特征在于：其通过权利要求5～7的任一项中记载的方法形成。