[发明专利]极低硅损失高剂量植入剥离

权利要求书

1.一种在反应室中从硅表面移除高剂量植入的抗蚀剂的方法，所述方法包括：

从包括分子氢、不含碳的含氟气体及化合物的工艺气体混合物形成第一等离子体，其中所述化合物为选自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物以第一体积流量比率提供；

使所述硅表暴露于所述第一等离子体以由此以第一蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的侧面结壳和顶部结壳中的一者；

改变所述不含碳的含氟气体及所述化合物的所述体积流量比率以形成第二等离子体，其中所述第二等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气；及

使所述硅表面暴露于所述第二等离子体以由此以不同于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的所述侧面结壳和所述顶部结壳中的另一者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述化合物为碳氟化合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述碳氟化合物为CF₄、C₂F₆、CHF₃、CH₂F₂、C₃F₈中的一者。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述碳氟化合物为CF₄。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体为NF₃、F₂、HF或SF₆中的一者。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体为NF₃。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述第一体积流量比率介于1:20到1:5之间，且改变所述体积流量比率包括将所述比率改变为介于1:4到1:2之间。

8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述第一体积流量比率介于1:20到1:5之间。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中改变所述不含碳的含氟气体与所述化合物的所述体积流量比率以形成第二等离子体包括：关断化合物流。

10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述工艺气体混合物进一步包括二氧化碳。

11.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大体上没有所述高剂量植入的抗蚀剂的残留物，且其中从所述硅表面损失少于2埃的硅。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在移除之后所述硅表面大体上没有所述高剂量植入的抗蚀剂的残留物，且其中从所述硅表面损失少于1埃的硅。

13.一种在反应室中从硅表面移除高剂量植入的抗蚀剂的方法，所述方法包括：

从包括分子氢、不含碳的含氟气体及化合物的工艺气体混合物形成第一等离子体，其中所述化合物为选自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气，

使所述硅表面暴露于所述第一等离子体以由此以第一蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的侧面结壳和顶部结壳中的一者，且同时在所述硅表面上形成保护层；

改变所述不含碳的含氟气体及所述化合物的体积流量比率以形成第二等离子体，其中所述第二等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气；及

使所述硅表面暴露于所述第二等离子体以由此以不同于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的所述侧面结壳和所述顶部结壳中的另一者。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述化合物为碳氟化合物。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述碳氟化合物为CF₄、C₂F₆、CHF₃、CH₂F₂、C₃F₈中的一者。