[发明专利]用于触摸面板的板件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080055901.0 申请日: 2010-10-07
公开(公告)号: CN102713802A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 金炳秀;李勤植;徐忠源;赵志元;洪赫振 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;林锦辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 触摸 面板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于触摸面板的板件,包括:

基础衬底;

第一中间层,布置在所述基础衬底的第一侧上并且具有第一折射率;

第二中间层,布置在所述第一中间层上并且具有比第一折射率低的第二折射率;以及

透明导电层,布置在所述第二中间层上。

2.根据权利要求1所述的板件,其中,所述透明导电层具有比所述第二折射率低的第三折射率。

3.根据权利要求1所述的板件,进一步包括在所述基础衬底的第二侧上的至少一个外层。

4.根据权利要求3所述的板件,其中,所述外层包括:

第一外层,布置在所述基础衬底的第二侧上;以及

第二外层,布置在所述第一外层上并且具有比所述第一外层的折射率低的折射率。

5.根据权利要求4所述的板件,其中,所述第一外层和所述第二外层中的每一个包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的板件,其中,所述第一外层包括ZrO2、Pb5O11、TiO2、Ta2O5和Nb2O5中的至少一种,所述第二外层包括Al2O3、CeF3、SiO、In2O3、HfO2、MgF2和SiO2中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的板件,其中,所述第一外层包括Al2O3、CeF3、SiO、In2O3和HfO2中的至少一种,所述第二外层包括MgF2和SiO2中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的板件,其中,所述第一中间层、所述第二中间层和所述透明导电层中每一个的厚度在从1nm到100nm的范围内。

9.根据权利要求3所述的板件,其中,所述外层的厚度在从1nm到100nm的范围内。

10.根据权利要求1所述的板件,其中,所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个包括Mg、F、Si、Al、Ce、In、Hf、Zr、Pb、Ti、Ta、Nb和O中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的板件,其中,所述第一中间层包括ZrO2、Pb5O11、TiO2、Ta2O5和Nb2O5中的至少一种,所述第二中间层包括Al2O3、CeF3、SiO、In2O3、HfO2、MgF2和SiO2中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的板件,其中,所述第一中间层包括Al2O3、CeF3、SiO、In2O3和HfO2中的至少一种,所述第二中间层包括MgF2和SiO2中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的板件,其中,所述透明导电层包括各自隔开的图案;并且

当被具有所述图案的部分反射的光的反射率为R0,并且被没有所述图案的部分反射的光的反射率为R1时,R0和R1满足以下条件,

R0-R1<0.7%。

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