[发明专利]通过加速的写入后读取来管理错误的非易失性存储器和方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

提供多组存储器单元，每组中的存储器单元用于并行操作；

将多个数据子集编程到第一组存储器单元中，每个数据子集被提供有ECC；

选择被编程在第一组存储器单元中的数据的样本，该样本从编程到第一组中的所述多个数据子集中的一个数据子集中选择；

读取所述样本；

检查所述样本的错误，以及

无论何时从所述样本中检查到的错误多于预定数量的错误位时，将所述多个数据子集重新编程到第二组存储器单元中。

2.根据权利要求1的方法，其中：

所述第一组存储器单元存在于一条字线上。

3.根据权利要求1的方法，其中：

所述第一组形成作为最小擦除单位的存储器单元块。

4.根据权利要求1的方法，其中：

所述样本是被编程到第一组中的所述多个数据子集之中被估计具有最高错误率的数据子集。

5.根据权利要求1的方法，其中：

所述第一组的每个存储器单元存储n位数据；

所述编程多个数据子集将n个数据页存储到第一组存储器单元中，每个数据页由来自该第一组中的每个存储器单元的一位构成。

6.根据权利要求1的方法，其中：

n等于3。

7.根据权利要求1的方法，其中：

所述检查错误包括检查该样本的ECC来确定错误位的数量。

8.根据权利要求1的方法，还包括：

将所述非易失性存储器配置为第一和第二部分，第一部分具有以比第二部分更少的错误率但更低密度的存储来操作的存储器单元；且其中：

所述第一和第二组存储器单元处于第一部分中；以及

所述第二组存储器单元处于第二部分中。

9.根据权利要求1的方法，还包括：

将所述非易失性存储器配置为第一和第二部分，第一部分具有以比第二部分更少的错误率但更低密度的存储来操作的存储器单元；且其中：

所述第一组存储器单元处于第一部分中；以及

所述第二组存储器单元处于第二部分中。

10.根据权利要求1的方法，其中：

所述存储器被进一步组织为多行NAND链；

每个NAND链是在源极端和漏极端处终止的一串菊链链接的存储器单元的列；以及

所述样本是在最靠近每个NAND链的源极端的存储器单元处存储的数据子集。

11.根据权利要求1的方法，其中：

所述存储器被进一步组织为多行NAND链；

每个NAND链是在源极端和漏极端处终止的一串菊链链接的存储器单元的列；以及

所述样本是在最靠近每个NAND链的漏极端的存储器单元处存储的数据子集。

12.一种非易失性存储器，包括：

多组存储器单元，每组中的存储器单元用于并行操作；

编程电路，用于将多个数据子集编程到第一组存储器单元中，每个数据子集被提供有ECC；

被编程在第一组存储器单元中的数据的样本，该样本从被编程到第一组中的所述多个数据子集中的一个数据子集中选择；

读取电路，用于读取所述样本；

ECC解码器，用于检查所述样本中的错误，以及

重新编程电路，用于无论何时从所述样本中检查到的错误多于预定数量的错误位时，将所述多个数据子集重新编程到第二组存储器单元中。

13.根据权利要求12的非易失性存储器，其中：

所述第一组存储器单元存在于一条字线上。

14.根据权利要求12的非易失性存储器，其中：

所述第一组形成作为最小擦除单位的存储器单元块。

15.根据权利要求12的非易失性存储器，其中：

所述样本是被编程到第一组中的所述多个数据子集之中被估计具有最高错误率的数据子集。