[发明专利]用于硅太阳能电池的改善的金属化方法

权利要求书

1.一种在硅太阳能电池的表面发射极上形成接触部的方法，所述方法包括：

表面的n型扩散以形成具有10-40Ω/□的薄层电阻的掺杂发射极表面层；

回蚀刻所述发射极表面层以增加所述发射极表面层的薄层电阻；以及

选择性镀覆所述表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述回蚀刻步骤产生在100-150Ω/□范围内的发射极表面层电阻率。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述发射极掺杂步骤使用在扩散炉中的POCl₃扩散流程来实现。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在将晶片装载到扩散炉中之前，背对背地设置所述晶片。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述扩散来源为旋涂扩散来源。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，通过下述来实现重度前表面扩散：

(i)在890℃下进行预氧化扩散达5分钟；以及

(ii)在POCl₃存在下，在890℃下进行另外的扩散达30分钟以在所述前表面上获得10-20Ω/□的薄层电阻。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在后表面上获得＞100Ω/□的薄层电阻。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述晶片的前表面上进行薄层电阻变化＜10％的均匀扩散。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述回蚀刻工艺通过在20℃下将经扩散的晶片浸入到Trilogy蚀刻剂(126份硝酸、60份水和5份40％(w/v)氟化铵)中达40秒来完成。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述回蚀刻工艺通过在包括高锰酸钾、水和HF的溶液中进行蚀刻来完成。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述回蚀刻工艺通过使用蚀刻溶液来完成，与轻度掺杂的硅相比，所述蚀刻溶液优先蚀刻高度掺杂的n型硅。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述回蚀刻工艺通过使用包括HF、硝酸和乙酸的硅蚀刻溶液的摩尔组合物来完成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包括1份HF、50份硝酸和100份乙酸。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述选择性镀覆通过形成镀覆掩模和经由所述掩模的镀覆来完成。

15.根据权利要求1至13中任一项所述的方法，其中，所述选择性镀覆通过下述来完成，产生比所述发射极表面的其余部分更高度掺杂的需要镀覆的发射极表面区域，并且镀覆所述发射极表面，由此在所述更高度掺杂的区域上选择性地形成镀覆。

16.一种制造硅太阳能电池的方法，包括：

i.进行n型掺杂剂的前表面发射极扩散以获得50-250欧姆/每平方的最终发射极薄层电阻率；

ii通过PECVD在所述前表面上进行介电沉积，包括：

a.薄5-30nm硅氧化物层的生长；

b.抗反射涂层(ARC)的PECVD沉积，

iii.用铝丝网印刷后(非光接收)表面用于后接触部，接着进行烧制；

iv.在所述后接触部烧制步骤(iii)之后，退火所述硅以将氢从氮化硅层驱入所述硅中从而钝化所述硅；

v.在含掺杂剂来源的存在下对晶片顶表面进行局部化的激光熔化以同时熔化并掺杂所述硅的光接收表面，在待形成前表面金属接触部的位置中产生重度掺杂的n+区域，同时破坏上覆的介电层以暴露所述n+区域的经掺杂的硅表面；

vii在所述激光掺杂的n+区域上方镀覆镍层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述太阳能电池由多晶硅制造。

18.根据权利要求16或17所述的方法，其中，进行n型掺杂剂的前表面发射极扩散以获得80-160欧姆/每平方的最终发射极薄层电阻率。

19.根据权利要求16、17或18所述的方法，其中，薄硅氧化物层生长至10-20nm的厚度。