[发明专利]封装电子装置的方法

权利要求书

1.封装电子装置阻挡渗透物的方法，其中

提供至少部分交联的热熔粘合剂，所述至少部分交联的热熔粘合剂是基于酸改性或酸酐改性的乙烯基芳族嵌段共聚物的，以及

将所述热熔粘合剂施用至欲封装的电子装置区域和/或在欲封装的电子装置区域的周围施用所述热熔粘合剂。

2.权利要求1的方法，其特征在于所述热熔粘合剂以胶带的形式提供。

3.权利要求1或2的方法，其特征在于所述热熔粘合剂是使用胺或环氧树脂交联的。

4.权利要求1或2的方法，其特征在于所述热熔粘合剂是使用金属螯合物交联的。

5.热熔粘合剂用于封装电子装置阻挡渗透物的用途，更具体而言在前述权利要求中任一项的方法中的用途，

其特征在于

所述热熔粘合剂基于酸改性或酸酐改性的乙烯基芳族嵌段共聚物。

6.权利要求5的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂包含由乙烯基芳族化合物更具体而言苯乙烯形成的聚合物嵌段，以及

在于所述热熔粘合剂包含由1，3-二烯更具体而言丁二烯和/或异戊二烯聚合形成的聚合物嵌段，

和/或特异性或完全氢化的聚合物嵌段。

7.权利要求5或6的用途，其特征在于所述改性的乙烯基芳族嵌段共聚物是通过胺交联的。

8.权利要求5或6的用途，其特征在于所述改性的乙烯基芳族嵌段共聚物是通过环氧树脂交联的。

9.权利要求5或6的用途，其特征在于所述改性的乙烯基芳族嵌段共聚物是通过金属螯合物交联的。

10.权利要求9的方法，其特征在于所述金属螯合物可通过下式表示：

(R₁O)_nM(XR₂Y)_m，

其中

M是选自第2、3、4或5主族的金属或者过渡金属；

R₁是烷基或芳基诸如甲基、乙基、丁基、异丙基或苄基；

n是0或者大于0的整数，

X和Y是氧或氮，并且也可各自通过双键与R₂相连；

R₂是连接X和Y的链烯基，并且可以是支化的，或者可以在链中包含氧或其它杂原子；

m是整数，但是至少为1。

11.权利要求9或10的用途，所述螯合物是乙酰丙酮化物。

12.权利要求9～11中任一项的用途，所述螯合物是乙酰丙酮铝。

13.权利要求5～12中任一项的用途，其特征在于

所述嵌段共聚物具有10wt％至35wt％的聚乙烯基芳族化合物份额。

14.权利要求5～13中任一项的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂的乙烯基芳族嵌段共聚物份额为至少50wt％，优选至少70wt％，更优选至少80wt％，和/或

在于所述热熔粘合剂的乙烯基芳族嵌段共聚物份额不超过100wt％。

15.权利要求5～14中任一项的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂包含树脂或树脂混合物，

优选氢化度为至少90％的氢化树脂，更优选氢化度为至少95％的氢化树脂。

16.权利要求5～15中任一项的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂包含一种或多种添加剂，

优选所述添加剂选自：增塑剂，主抗氧化剂，辅助抗氧化剂，加工稳定剂，光稳定剂，加工助剂，末端嵌段增强树脂，聚合物，具体为具有弹性的聚合物。

17.权利要求5～16中任一项的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂包含一种或多种填料，

优选纳米填料、透明填料和/或吸气剂填料和/或清除剂填料。

18.权利要求17的用途，其特征在于

所述填料为在至少一维为纳米级的形式。

19.权利要求5～18中任一项的用途，其特征在于

所述热熔粘合剂为透明形式，

优选所述热熔粘合剂在400nm至800nm的波长范围内的平均透过率为至少75％，更优选为至少90％。