[发明专利]曝光装置、曝光方法以及设备制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及曝光装置、曝光方法以及设备制造方法，更详细而言，涉及经由光学系统通过能量束而将物体曝光的曝光装置及曝光方法，以及使用该曝光装置或曝光方法的设备制造方法。

背景技术

传统上，在用于制造诸如半导体设备(集成电路等)或液晶显示器元件的电子设备(微型设备)的光刻工艺中，主要使用诸如利用步进和反复方法的投影曝光装置(所谓的步进机)，或者利用步进和扫描方法的投影曝光装置(所谓的扫描步进机(还被称为扫描仪))的曝光装置。

在这些类型的曝光装置中，通常使用激光干涉仪来测量移动的晶片载台的位置，该晶片载台固持在其上转印并且形成图案的诸如晶片或玻璃板的基板(以下统称为晶片)。然而，由于近来图案随着半导体设备的更高集成而更细微，造成对更高精度的晶片载台的位置控制性能的需要增加，并且作为结果，不再能够忽视由于激光干涉仪的光路上的环境气体的温度波动和/或温度梯度的影响而造成的测量值的短期变化。

为了改进这种不便，已提出涉及曝光装置的各种发明，这些发明使用具有与激光干涉仪同一水平或更好的测量分辨率的编码器，作为晶片载台的位置测量设备(例如参照专利文献1)。然而，在专利文献1等中公开的浸液曝光装置中，仍然存在有待改进的问题，诸如当受到液体蒸发时的气化热等的影响时晶片载台(安装在晶片载台上表面上的光栅)变形的威胁。

为了改进这种不便，例如在专利文献2中，作为第五实施例，公开了一种曝光装置，其配备有编码器系统，该编码器系统具有布置在由光透射部件所构成的晶片载台的上表面上的光栅，并且通过使测量束从设置在晶片载台下方的编码器主体进入晶片载台并照射在光栅上，并且通过接收在光栅中出现的衍射光，来测量晶片载台相对于光栅的周期方向的移位。在该装置中，由于利用玻璃盖覆盖光栅，因此光栅不易受到气化热的影响，这使得可以高精度地测量晶片载台的位置。

然而，难于使用在涉及专利文献2的第五实施例的曝光装置中采用的编码器主体的设置，因为载台设备是具有所谓粗/微动结构的载台设备，该粗/微动结构是在平台上移动的粗动载台和固持晶片并且在粗动载台上相对于粗动载台相对移动的微动载台的组合，并且在测量微动载台的位置信息的情况下，粗动载台位于微动载台与平台之间。

此外，尽管在对晶片载台上的晶片进行曝光时，期望测量与晶片表面上的曝光点同一二维平面内的晶片载台的位置信息，但是在晶片载台相对于二维平面倾斜的情况下，在例如从下方测量晶片载台的位置的编码器的测量值中，将包括因晶片表面与光栅设置表面的高度差引起的测量误差。

引用列表

专利文献

[专利文献1]美国专利申请公布第2008/0088843号

[专利文献2]美国专利申请公布第2008/0094594号

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了第一曝光装置，其经由被第一支撑部件支撑的光学系统利用能量束将物体曝光，该装置包括：可移动体，其固持该物体并且可沿预定平面移动；引导表面形成部件，其形成可移动体沿预定平面移动时使用的引导表面；第二支撑部件，其经由引导表面形成部件与引导表面形成部件分开设置在光学系统的相对侧，并且其与第一支撑部件的位置关系维持在预定状态；位置测量系统，其包括第一测量部件，该第一测量部件使用测量束照射与预定平面平行的测量表面并且从该测量表面接收光，并且基于第一测量部件的输出获得可移动体在预定平面内的位置信息，该测量表面布置在可移动体和第二支撑部件中的一个处并且第一测量部件的至少一部分布置在可移动体和第二支撑部件中的另一个处；以及倾斜测量系统，其获得可移动体相对于预定平面的倾斜信息。