[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件及发光元件的制造方法。

背景技术

目前，正在开发发出紫外光、蓝光、绿光等的发光元件。作为这种发光元件，例如具有由层叠有多个半导体层的光半导体层和对该光半导体层施加电压的电极构成的发光元件(例如，参照特开2006-222288号公报)。

因此，在这种发光元件的开发中，所追求的是提高光半导体层与电极之间的电气特性。

发明内容

本发明一实施方式提供一种发光元件，具备：光半导体层，其按顺序层叠有第一半导体层、发光层及第二半导体层；第一电极层，其与第一半导体层电连接；第二电极层，其与第二半导体层电连接。另外，第二电极层具有位于第二半导体层上的导电反射层及位于导电反射层上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔的导电层。

本发明一实施方式提供一种发光元件的制造方法，具备：准备光半导体层和按顺序层叠有第一金属层及熔点比第一金属层的氧化物高的第二金属层的层叠体的工序；在第二金属层形成多个贯通厚度方向的贯通孔的工序。而且，本发明一实施方式的发光元件的制造方法还具备：之后在比第一金属层的氧化物的熔点高且比第一金属层的熔点及第二金属层的熔点的任何一方都低的温度下对层叠体进行加热，将光半导体层与第一金属层的界面区域氧化的工序。

附图说明

图1是本发明一实施方式的发光元件的立体图；

图2是图1所示的发光元件的剖面图，相当于用图1的A-A’线切断时的图；

图3是图1所示的发光元件的贯通孔、导电反射层及导电层的放大剖面图；

图4是图1所示的发光元件的贯通孔、凹部及其周边的放大剖面图；

图5是图1所示的发光元件的变形例的贯通孔、凹部及其周边的放大剖面图；

图6是图1所示的发光元件的变形例的贯通孔、凹部及其周边的放大图，(a)相当于沿厚度方向切断的截面的放大剖面图，(b)相当于从上方俯视时的放大俯视图；

图7是图1所示的发光元件的变形例的俯视图，相当于从上方俯视发光元件时的图；

图8是图1所示的发光元件的变形例的剖面图，相当于用图1的A-A’线切断时的图；

图9是图1所示的发光元件的变形例的剖面图，相当于用图1的A-A’线切断时的图；

图10是将图1所示的发光元件安装于封装件的发光装置；

图11是表示图1所示的发光元件的制造工序的发光元件的剖面图；

图12是表示图1所示的发光元件的制造工序的发光元件的剖面图；

图13是表示图1所示的发光元件的制造工序的发光元件的剖面图；

图14是表示图1所示的发光元件的制造工序的发光元件的剖面图；

图15是表示图1所示的发光元件的分析结果的图表；

图16是表示图1所示的发光元件的分析结果的图表；

图17是表示比较例的发光元件的分析结果的图表。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的发光元件的实施方式进行详细的说明。

本发明不限定于下面的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以实施各种变更。

<关于发光元件>

图1是本实施方式的发光元件20的立体图，图2是图1所示的发光元件20的剖面图，相当于用图1的A-A’线切断时的剖面。

如图1及图2所示，发光元件20具备：基板1、形成于基板1上的光半导体层2、与光半导体层2的一部分电连接的第一电极层3、具有导电反射层4及具备多个贯通孔6的导电层5的第二电极层7。

基板1只要为利用化学气相成长法能够使光半导体层2成长的基板即可。基板1由俯视形状例如为四边形状等多边形状或圆形状的平板等形成。作为基板1所使用的材料，例如可列举出蓝宝石、氮化镓、氮化铝、氧化锌、碳化硅、硅或二硼化锆等。

在从基板1侧取出光半导体层2发出的光的情况下，可采用利用使光半导体层2发出的光透射的透光性的基材的方法等。作为透光性的基材，考虑光半导体层2发出的光的波长即可，例如，在采用了后述的发光层2b的构成的情况下，例如能够利用蓝宝石、氮化镓、氧化锌或碳化硅等。在本实施方式中，基板1由蓝宝石构成，作为基板1的厚度，为10μm以上1000μm以下程度。

如图2所示，光半导体层2由形成于基板1的主面1A上的第一半导体层2a、形成于第一半导体层2a上的发光层2b、形成于发光层2b上的第二半导体层2c构成。