[发明专利]发光元件及发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，具备：

光半导体层，其按顺序层叠有第一半导体层、发光层及第二半导体层；

第一电极层，其与所述第一半导体层电连接；

第二电极层，其与所述第二半导体层电连接，具有位于所述第二半导体层上的导电反射层及位于该导电反射层上并且具有多个贯通厚度方向的贯通孔的导电层。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，

所述导电反射层在与所述贯通孔对应的部位具有凹部。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中，

所述凹部的与所述导电反射层的厚度方向垂直的截面的面积即第一截面积随着朝向所述导电层侧而增大。

4.如权利要求1～3中任一项所述的发光元件，其中，

所述贯通孔的与所述导电层的厚度方向垂直的截面的面积即第二截面积随着朝向所述导电反射层侧而减小。

5.如权利要求2～4中任一项所述的发光元件，其中，

所述导电层在所述导电反射层侧的表面具有所述贯通孔的一端侧的开口部即第一开口部，所述导电反射层在所述导电层侧的表面具有所述凹部的开口部即第二开口部，在俯视透视下，所述第一开口部的外周位于比所述第二开口部的外周靠外侧的位置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其中，

在俯视下，所述导电层的存在所述贯通孔的密度随着朝向内方而升高。

7.如权利要求1～6中任一项所述的发光元件，其中，

还具备填充于所述贯通孔中并且覆盖所述导电层的表面的保护金属层，

构成该保护金属层的材料的热膨胀系数比构成所述导电层的材料的热膨胀系数小。

8.如权利要求1～7中任一项所述的发光元件，其中，

在所述第二半导体层与所述导电反射层的界面区域含有氧化镓。

9.如权利要求1～8中任一项所述的发光元件，其中，

所述导电反射层含有氧化银。

10.如权利要求9所述的发光元件，其中，

所述导电反射层具有20nm以上的厚度。

11.如权利要求1～10中任一项所述的发光元件，其中，

所述导电层含有铝。

12.如权利要求11所述的发光元件，其中，

所述导电层具有1nm以上30nm以下的厚度。

13.一种发光元件的制造方法，具备：

准备光半导体层和按顺序层叠有第一金属层及熔点比该第一金属层的氧化物高的第二金属层的层叠体的工序；

在所述第二金属层形成多个贯通厚度方向的贯通孔的工序；

在比所述第一金属层的氧化物的熔点高且比所述第一金属层的熔点及所述第二金属层的熔点的任何一方都低的温度下对所述层叠体进行加热，将所述光半导体层与所述第一金属层的界面区域氧化的工序。

14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其中，

还具备在所述第一金属层中的与所述贯通孔对应的部位形成凹部的工序。

15.如权利要求13或14所述的发光元件的制造方法，其中，

在氧氛围中进行所述层叠体的所述加热。