[发明专利]等离子体处理装置和基板处理方法无效
| 申请号: | 201080037151.4 | 申请日: | 2010-08-16 |
| 公开(公告)号: | CN102484939A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
| 发明(设计)人: | 石桥清隆;森田治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;C23C16/511;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:
处理容器,其上部侧开口,且在其内部对被处理基板进行等离子体处理;
气体供给部,其向所述处理容器内供给等离子体处理用的气体;
保持台,其配置于所述处理容器内,且在所述保持台的上方保持所述被处理基板;
微波发生器,其产生等离子体激励用的微波;
电介质板,其以覆盖所述处理容器的开口的方式配置,密封所述处理容器,并且使微波透过到所述处理容器内;
缝隙天线板,其设置有多个缝隙孔,且配置于所述电介质板的上方侧,向所述电介质板发射微波;
滞波板,其配置于所述缝隙天线板的上方侧,在径向传播微波;和
微波供给单元,向所述缝隙天线板供给由所述微波发生器产生的微波,
所述微波供给单元具备:
同轴导波管,其包括一个端部与所述缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体,和与所述内导体在径向隔开间隙且设置于所述内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体;和
变更单元,其使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述变更单元包括能够从所述外导体侧向所述内导体侧延伸出的短截线部件。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述短截线部件包括:
棒状部,其在所述外导体侧被支承,且设置为在径向延伸;和
移动量调整部件,其对所述棒状部的径向的移动量进行调整。
4.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述同轴导波管的延伸方向上隔开间隔地设置有多个所述短截线部件。
5.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在圆周方向上隔开间隔地设置有多个所述短截线部件。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在圆周方向上以大致相等的间隔设置有所述多个短截线部件。
7.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述短截线部件之中的至少能够位于所述间隙的部分的材质是电介质。
8.如权利要求2所述的等离子体处理装置,其特征在于:
在所述同轴导波管的轴方向上,所述滞波板的上方侧的端部与所述短截线部件的距离为10mm以下。
9.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述变更单元能够使所述内导体的外周面的一部分与相对于所述一部分的相对部在径向的距离变更为4mm以下。
10.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:
所述微波发生器包括磁控管、隔离器和调谐器。
11.一种基板处理方法,其特征在于:
准备一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置具备:
处理容器,其上部侧开口,且在其内部对被处理基板进行等离子体处理;
气体供给部,其向所述处理容器内供给等离子体处理用的气体;
保持台,其配置于所述处理容器内,且在所述保持台的上方保持所述被处理基板;
微波发生器,其产生等离子体激励用的微波;
电介质板,其以覆盖所述处理容器的开口的方式配置,密封所述处理容器,并且使微波透过到所述处理容器内;
缝隙天线板,其设置有多个缝隙孔,且配置于所述电介质板的上方侧,向所述电介质板发射微波;
滞波板,其配置于所述缝隙天线板的上方侧,在径向传播微波;和
微波供给单元,向所述缝隙天线板供给由所述微波发生器产生的微波,
所述微波供给单元具备:
同轴导波管,其包括一个端部与所述缝隙天线板的中心连接的大致圆棒状的内导体,和与所述内导体在径向隔开间隙且设置于所述内导体的外径侧的大致圆筒状的外导体;和
变更单元,其使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更,
将被处理基板保持在所述保持台,
通过所述微波发生器产生微波,
通过所述变更单元,使所述内导体的外周面的一部分与在径向与所述内导体的外周面的一部分相对的相对部在径向的距离变更,使在所述处理容器内产生的等离子体在所述电介质板的下表面侧变得均匀,
对所述被处理基板进行等离子体处理。
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