[发明专利]具有背侧支撑层的绝缘体上半导体

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片，所述绝缘体上硅芯片具有有源层、绝缘层和基板；

其中所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成，所述支撑区域与所述绝缘层接触；以及

其中所述支撑区域被配置成在从所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片时为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述挖掉的基板区域覆盖了所述绝缘体上硅芯片上的大部分信号处理区域。

3.一种集成电路，包括：

来自绝缘体上硅晶圆的绝缘体上硅芯片，所述绝缘体上硅芯片具有有源层、绝缘层、基板以及加强层；

其中所述基板由挖掉的基板区域和支撑区域组成，所述支撑区域与所述绝缘层接触；

其中所述加强层布置在所述挖掉的基板区域中；以及

其中所述支撑区和所述加强层域被配置成共同作用以便在从所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片时为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中所述挖掉的基板区域覆盖了所述绝缘体上硅芯片上的大部分信号处理区域。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述加强层具有高热导率。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中所述加强层与所述挖掉的基板区域相适应。

7.根据权利要求3所述的集成电路，其中：

所述绝缘层包括挖掉的绝缘区域；以及

所述加强层布置在所述挖掉的绝缘区域中。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述加强层具有高热导率并且电绝缘。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述挖掉的绝缘区域与所述有源层中的最低金属层共同横向延伸。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述加强层与所述挖掉的基板区域及所述挖掉的绝缘区域相适应。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述加强层包括：

一组隔开的散热通道；

其中所述隔开的散热通道中的每一个均与所述有源层中的所述最低金属层接触。

12.一种制造集成电路的方法，包括步骤：

在绝缘体上硅晶圆的有源层中形成所述集成电路的有源电路；

从所述绝缘体上硅晶圆上的绝缘体上硅芯片去除部分基板，从而形成所述基板中的挖掉的基板区域和所述基板中的支撑区域；以及

从无操纵晶圆的所述绝缘体上硅晶圆切片出所述绝缘体上硅芯片。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述支撑区域被配置成在所述切片期间为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括步骤：

在所述挖掉的基板区域中沉积加强层；

其中所述支撑区域和所述加强层被配置成在所述切片期间为所述绝缘体上硅芯片提供所需的大部分稳定力。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括步骤：

制备加强层沉积晶圆，所述加强层沉积晶圆包括所述加强层和加强晶圆基板；

其中所述加强层具有高热导率并且与所述挖掉的基板区域相适应。

16.根据权利要求14所述的方法，进一步包括步骤：从所述绝缘体上硅晶圆去除绝缘层的一部分以形成挖掉的绝缘区域。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述挖掉的绝缘区域与所述有源层中的最低金属层共同横向延伸。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括步骤：

制备加强层沉积晶圆，所述加强层沉积晶圆包括所述加强层和加强晶圆基板；

其中所述加强层与所述挖掉的基板区域及所述挖掉的基板区域的组合相适应。