[发明专利]加工对象物切断方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用来沿着切断预定线切断板状的加工对象物的加工对象物切断方法。

背景技术

作为现有的上述技术领域的加工对象物切断方法，已知有通过将激光照射至具有基板和设置于该基板的表面的层叠部的加工对象物，从而至少在基板的内部形成改质区域，以该改质区域作为切断的起点而沿着切断预定线切断加工对象物的方法(例如，参照专利文献1)。

专利文献

专利文献1：国际公开第03/076120号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

在如上所述的加工对象物切断方法中，例如，当基板由LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)等所构成，对激光具有散乱性时，激光难以在基板内导光，因此有时无法在基板的内部形成成为切断的起点的改质区域。

因此，本发明的课题在于，提供一种不受成为切断对象的加工对象物的材料所左右且可沿着切断预定线精度良好地切断该加工对象物的加工对象物切断方法。

解决课题的技术手段

为了解决上述课题，本发明所涉及的加工对象物切断方法，其特征在于，包含：在具备主面成为(100)面的硅基板的板状的第1加工对象物的一方的端面，以与主面相对的方式接合板状的第2加工对象物的另一方的端面的工序；通过将激光照射于第1加工对象物，而沿着第2加工对象物的切断预定线在硅基板的内部形成熔融处理区域，使以熔融处理区域作为起点而产生的龟裂沿着切断预定线而到达第1加工对象物的另一方的端面的工序；及通过使应力产生于第1加工对象物，而使龟裂沿着切断预定线到达第2加工对象物的一方的端面，且沿着切断预定线切断第2加工对象物的工序。

在该加工对象物切断方法中，由于硅基板的主面为(100)面，因而以熔融处理区域作为起点而产生的龟裂，在第1加工对象物中，向硅基板的劈开方向(即，与硅基板的主面垂直的方向)伸展。此时，由于第2加工对象物的另一方的端面被接合于第1加工对象物的一方的端面，因而在第1加工对象物中向与硅基板的主面垂直的方向伸展的龟裂，几乎不改变其方向地在第2加工对象物传导，而到达第2加工对象物的一方的端面。而且，当使应力产生于第1加工对象物时，由于以熔融处理区域作为起点而产生的龟裂到达第1加工对象物的另一方的端面，因而使该龟裂可容易地向第2加工对象物侧伸展。因此，若沿着第2加工对象物的切断预定线在第1加工对象物的硅基板的内部形成熔融处理区域，则即使没有在第2加工对象物形成任何切断的起点，也可沿着切断预定线精度良好地切断第2加工对象物。

另外，优选，第1加工对象物的一方的端面与第2加工对象物的另一方的端面，通过阳极接合而接合。或者，优选，第1加工对象物的一方的端面与第2加工对象物的另一方的端面，通过表面活性化直接接合而接合。根据上述的接合方法，第1加工对象物的一方的端面与第2加工对象物的另一方的端面被坚固地直接接合。因此，可使在第1加工对象物中向与硅基板的主面垂直的方向伸展的龟裂，在第1加工对象物的一方的端面与第2加工对象物的另一方的端面的界面连续且几乎不改变其方向地，可靠地向第2加工对象物伸展。

另外，优选，激光以第1加工对象物的另一方的端面作为激光入射面而照射到第1加工对象物。在此情况下，成为切断对象的第2加工对象物不论激光容易导光或难以导光，均可在第1加工对象物的硅基板的内部可靠地形成熔融处理区域。

另外，优选，应力通过使安装于第1加工对象物的另一方的端面的可扩张的保持构件扩张而产生于第1加工对象物。在此情况下，由于以熔融处理区域作为起点而产生的龟裂到达第1加工对象物的另一方的端面，因而仅通过使安装于第1加工对象物的另一方的端面的保持构件扩张，从而可使该龟裂容易地向第2加工对象物侧伸展。

另外，优选，硅基板的厚度比第2加工对象物的厚度更厚。在此情况下，更进一步增强在第1加工对象物中向与硅基板的主面垂直的方向伸展的龟裂的一直前进性。因此，可使该龟裂在第1加工对象物的一方的端面与第2加工对象物的另一方的端面的界面连续且几乎不改变其方向地，可靠地向第2加工对象物伸展。

另外，优选，第2加工对象物具有多个功能元件，切断预定线设定成通过相邻的功能元件之间。在此情况下，可得到成品率良好的具有功能元件的芯片。

另外，第2加工对象物，有时具备玻璃基板、有时具备LTCC基板、有时具备蓝宝石基板。在上述的情况下，即使没有在玻璃基板、LTCC基板、蓝宝石基板形成任何切断的起点，也可沿着切断预定线精度良好地切断第2加工对象物。

发明的效果