[发明专利]基于电流拥挤调节颜色的电致发光装置有效

专利信息
申请号: 201080029540.2 申请日: 2010-06-25
公开(公告)号: CN102473816A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 迈克尔·A·哈斯 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/38
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 梁晓广;关兆辉
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 基于 电流 拥挤 调节 颜色 电致发光 装置
【说明书】:

相关专利申请的交叉引用

参考如下待审和/或共同提交的美国专利申请,其特征可并入当前所公开的实施例:提交于2009年5月5日的美国专利申请No.61/175,640“Re-Emitting Semiconductor Construction With Enhanced Extraction Efficiency”(代理人案卷号64759US002);提交于2009年5月5日的美国专利申请No.61/175,632“Semiconductor Devices Grown on Indium-Containing Substrates Utilizing Indium Depletion Mechanisms”(代理人案卷号65434US002);提交于2009年5月5日的美国专利申请No.61/175,636“Re-Emitting Semiconductor Carrier Devices For Use With LEDs and Methods of Manufacture”(代理人案卷号65435US002);以及与其于同一天提交的美国专利申请No.61/221,660“White Light Electroluminescent Devices With Adjustable Color Temperature”(代理人案卷号65330US002)。

技术领域

本发明总体涉及固态半导体光源。

背景技术

已知有许多种半导体装置及其制备方法。这些装置中的一些被设计为发射光,例如可见光或近可见光(如紫外光或近红外光)。实例包括电致发光装置,例如发光二极管(LED)和激光二极管,其中驱动电流或类似电信号被施加到所述装置以使其发射光。被设计为发射光的半导体装置的另一个实例是重发射半导体构造(RSC)。

与LED不同,RSC不需要来自外部电子电路的驱动电流以便发射光。相反,RSC通过在RSC的有源区中吸收第一波长λ1的光来产生电子空穴对。然后,这些电子和空穴在有源区的势阱中重新结合,以发射不同于第一波长λ1的第二波长λ2,可选地其他波长λ2、λ3、等等的光,这取决于势阱数及其设计特征。第一波长λ1的引发辐射或“泵浦光”通常由耦合至RSC的蓝光、紫光或紫外光发射LED提供。示例性RSC装置、其构造方法以及相关装置和方法可见于(如)美国专利7,402,831(Miller等人)、美国专利申请公布US 2007/0284565(Leatherdale等人)和US 2007/0290190(Haase等人)、PCT公布WO 2009/048704(Kelley等人)、以及提交于2008年6月26日的待审的美国专利申请No.61/075,918“Semiconductor Light Converting Construction”(代理人案卷号64395US002),这些专利均以引用方式并入本文。

当本文提及特定波长的光时,读者将理解这里提及的是具有峰值波长为该特定波长的光谱的光。

本专利申请尤其关注能够发射白光的光源。在一些情况下,已知白光源通过将(例如)发射蓝光的LED的电致发光装置与基于RSC的第一发光元件和第二发光元件组合来构造。第一发光元件可(例如)包括发射绿光的势阱,该势阱将蓝光中的一些转换为绿光,并透射蓝光的其余部分。第二发光元件可以包括势阱,该势阱将其从第一发光元件接收的绿光和/或蓝光中的一些转换为红光,并透射蓝光和绿光的其余部分。所得红光、绿光和蓝光分量组合,以允许此类装置基本上提供白光输出,除了其他实施例之外,该装置还在WO 2008/109296(Haase)中有所描述。

其他已知的白光源通过将发射蓝光的LED与黄色荧光体层(例如掺铈钇铝石榴石(YAG:Ce))组合来构造。蓝光中的一些被荧光体吸收并作为黄光重发射,蓝光中的一些穿过荧光体层。透射的蓝光与重发射的黄光组合,以生成输出光束,该输出光束的总输出光谱被感知为标称白光。

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