[发明专利]成膜装置有效

专利信息
申请号: 201080026409.0 申请日: 2010-07-15
公开(公告)号: CN102471879A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;H01L21/285;H05H1/24
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 杨晶;王琦
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,其特征在于,包括:

腔室,具有内部空间和侧壁,在所述内部空间中,以欲形成覆膜的被处理体与具有溅射面的靶相对置的方式配置有所述被处理体和所述靶这两者;

排气部,对所述腔室内进行减压;

第一磁场产生部,在露出所述溅射面的所述内部空间中产生磁场;

直流电源,向所述靶施加负的直流电压;

气体导入部,向所述腔室内导入溅射气体;

第二磁场产生部,配置在靠近所述靶的位置,产生磁场而使垂直的磁力线在与所述靶相邻的位置上通过;以及

第三磁场产生部,配置在靠近所述被处理体的位置,产生磁场以将所述磁力线向所述腔室的所述侧壁诱导。

2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述第二磁场产生部和所述第三磁场产生部在所述腔室的周围以规定的间隔相互隔开而设置,且为具有电源装置的线圈,

以施加于所述第二磁场产生部的电流的极性与施加于所述第三磁场产生部的电流的极性彼此相反的方式,在所述第二磁场产生部和所述第三磁场产生部中施加有电流。

3.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,

将由所述第二磁场产生部和所述第三磁场产生部所形成的磁力线向所述腔室诱导。

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